[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法及存储介质在审
申请号: | 202011006528.1 | 申请日: | 2020-09-23 |
公开(公告)号: | CN113972149A | 公开(公告)日: | 2022-01-25 |
发明(设计)人: | 大桥直史 | 申请(专利权)人: | 株式会社国际电气 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01J37/32 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 金成哲;郑毅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 半导体 制造 方法 存储 介质 | ||
本发明提供一种基板处理装置、半导体装置的制造方法及存储介质,在一边使基板进行公转一边进行处理的装置中能够对基板载置面周围的结构进行清洁。基板处理装置构成为具有:处理室,其对基板进行处理;基板载置板,其具备非基板载置面和多个基板载置面;旋转部,其使所述基板载置板旋转;等离子体生成部,其构成为所述非基板载置面上的等离子体密度比所述基板载置面上的等离子体密度高;处理气体供给部,其向所述处理室供给处理气体;清洁气体供给部,其向所述处理室供给清洁气体;以及加热器,其配置于所述基板载置板的下方。
技术领域
本公开涉及一种基板处理装置、半导体装置的制造方法及存储介质。
背景技术
有一种为了同时提高产量和处理品质,而一边使基板进行公转一边供给气体来进行所需的基板处理的装置。例如在专利文献1中记载了这种装置的技术。
在这种装置中,各基板被在板状的基板载置板上设置的基板载置面支撑。多个基板载置面设置为圆周状。
在对基板进行处理时,一边使基板载置板旋转一边朝向基板载置板供给气体。所供给的气体被向基板载置面上的基板供给,并在基板上形成膜。
发明内容
发明所要解决的课题
在朝向基板载置板供给气体时,气体不仅供给至基板,而且也供给至其周围的结构。周围的结构是指:例如基板载置板中的基板载置面之间的部分。
由于气体也供给至周围的结构,因此与基板同样地形成膜。但是,在周围的结构形成的膜被剥离会产生颗粒而附着在基板上。由于颗粒会导致形成于基板的膜的品质降低,因此希望防止沉积于周围的结构的膜产生颗粒。
因此,本公开的目的在于提供如下技术,即:在使基板公转并进行处理的装置中能够对基板载置面周围的结构进行清洁。
专利文献1:日本特开2016-42561号公报
用于解决课题的方案
根据本公开的一方式,提供如下结构,其具有:处理室,其对基板进行处理;基板载置板,其具备非基板载置面和多个基板载置面;旋转部,其使所述基板载置板旋转;等离子体生成部,其构成为所述非基板载置面上的等离子体密度比所述基板载置面上的等离子体密度高;处理气体供给部,其向所述处理室供给处理气体;清洁气体供给部,其向所述处理室供给清洁气体;以及加热器,其配置于所述基板载置板的下方。
发明的效果
采用该技术,可提供能够对基板载置面周围的结构进行清洁的技术。
附图说明
图1是对第一方式的基板处理装置进行说明的说明图。
图2是对第一方式的基板处理装置进行说明的说明图。
图3是对第一方式的气体供给部进行说明的说明图。
图4是对第一方式的基板载置板与槽口板的关系进行说明的说明图。
图5是对第一方式的气体供给结构进行说明的说明图。
图6是对第一方式的基板处理装置的控制器进行说明的说明图。
图7是对第一方式的基板处理流程进行说明的说明图。
图8是对第二方式的基板处理装置进行说明的说明图。
图9是对第二方式的基板载置板与槽口板的关系进行说明的说明图。
图10是对第二方式的基板载置板、槽口板、移动板的关系进行说明的说明图。
图11是对第三方式的基板处理装置进行说明的说明图。
图12是对第三方式的基板载置板与槽口板的关系进行说明的说明图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造