[发明专利]一种有机三极管制作方法及有机三极管

说明书

本发明公开了一种有机三极管制作方法及有机三极管，本发明涉及光伏发电技术领域，该有机三极管制作方法通过依次形成背电极、有机垫层、掩膜层、场氧化层侧墙、氧化铝薄膜层、多晶锗硅层、发射极基区、基极基区、有机化学层、第一接触孔、第二接触孔、第一凸点、第二凸点、多晶硅层以及金属层，进而得到有机三极管。本发明可以有效减小三极管的体积，进而有助于三极管的应用，并且三极管的体积较小，有助于三极管散热，并且有机三极管加入酞菁镍等有机物，控制极与发射电极之间可以形成良好的场发射作用，因此在低电压既可以实现以引发发射电极的场发射载流子。所以，可以达到较大的放大倍率和实现较快的反应速度。

技术领域

本发明涉及三极管制作技术领域，具体为一种有机三极管制作方法及有机三极管。

背景技术

近十几年来，III族氮化物材料在固体二极管、三极管和太阳能电池等光电子及微电子器件领域表现出优良的特性，其相关器件受到世界各国的科研机构的重视并被广泛研究。对于有机材料的研究，人类也从未停止过脚步，对于有机物三极管的研究却刚刚起步，由于有机物材料普遍对其表面电子的束缚较小，当外加一个很小的电压的时候，电子既可以发生移动，因此，有机三极管的放大倍数和反应速度较快，该有点受到了技术人员的好评。并且正是由于这种特性，使得有机材料的三极管研究具有潜在价值，其应用前景也异常广阔。但是，该特性也导致有机三极管制作困难。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明提供了一种有机三极管制作方法及有机三极管，解决了光伏发电发电功率转换率较低的问题。

为实现以上目的，本发明通过以下技术方案予以实现：一种有机三极管制作方法及有机三极管。

本公开实施例的第一方面提供一种有机三极管制作方法，包括：

在硅基板的第一面利用磁控溅射的方法溅射氧化硅得到背电极；

在所述硅基板的第二面利用蒸镀的方法在第一目标温度下蒸镀得到有机垫层，并在所述有机垫层远离所述硅基板的一侧利用热沉淀的方法在第二目标温度下沉积得到掩膜层；

在所述掩膜层的四周以宽度为8纳米、深度为6纳米去除上表面棱形成侧沟槽，其中，远离所述掩膜层的四周面的去除表面与水平面呈120°；

在所述掩膜层的所述侧沟槽表面在第三目标温度下以厚度为10纳米、宽度为6纳米形成场氧化层侧墙，并在所述掩膜层表面生长形成氧化铝薄膜层以及在所述氧化铝薄膜层表面生长形成多晶锗硅层；

以所述多晶锗硅层的表面为平面向下挖深度为7.5纳米的第一空腔，并在第四目标温度下向所述第一空腔内注入氮化镓形成发射极基区，其中，所述空腔距离所述场氧化层侧墙水平上最近为3纳米，所述氮化镓的注入剂量为7×10¹⁵mol；

经过退火冷却后，以发射极基区的表面为平面向下挖多个深度为9纳米、并在所述第四目标温度下利用溶胶-凝胶法向所述第二空腔内注入氮化铝形成多个基极基区，其中，所述基极基区之间等距离且距离为20纳米，所述氮化铝的注入剂量为10¹⁷mol；

在所述多晶锗硅层在所述第一目标温度下利用化学气相沉积法使镀镍钢氢氧酯沉淀得到有机化学层，并以所述有机化学层的表面为平面向下挖形成第一接触孔，其中，所述第一接触孔的下表面为所述基极基区的上表面，所述第一接触孔与为所述基极基区对应，并在所述第一接触孔之间、以所述有机化学层的表面为平面向下挖形成第二接触孔，其中，所述第二接触孔的下表面与所述第一接触孔的下表面处于同一水平面上；

向所述第一接触孔内注入二氧化锑形成均匀的第一凸点并向所述第二接触孔利用热沉淀的方法在第五目标温度下淀积二氧化硅形成均匀的第二凸点，其中，所述第一凸点直径为0.2纳米，所述第二凸点直径为0.3纳米，并在所述多晶锗硅层的表面、所述第一凸点的表面和所述第二凸点的表面形成多晶硅层，所述多晶硅的上表面距离所述场氧化层侧墙3纳米，并在所述多晶硅的上表面形成金属层；