[发明专利]一种有机三极管制作方法及有机三极管

权利要求书

1.一种有机三极管制作方法，其特征在于，所述有机三极管制作方法包括：

在硅基板的第一面利用磁控溅射的方法溅射氧化硅得到背电极；

在所述硅基板的第二面利用蒸镀的方法在第一目标温度下蒸镀得到有机垫层，并在所述有机垫层远离所述硅基板的一侧利用热沉淀的方法在第二目标温度下沉积得到掩膜层；

在所述掩膜层的四周以宽度为8纳米、深度为6纳米去除上表面棱形成侧沟槽，其中，远离所述掩膜层的四周面的去除表面与水平面呈120°；

在所述掩膜层的所述侧沟槽表面在第三目标温度下以厚度为10纳米、宽度为6纳米形成场氧化层侧墙，并在所述掩膜层表面生长形成氧化铝薄膜层以及在所述氧化铝薄膜层表面生长形成多晶锗硅层；

以所述多晶锗硅层的表面为平面向下挖深度为7.5纳米的第一空腔，并在第四目标温度下向所述第一空腔内注入氮化镓形成发射极基区，其中，所述空腔距离所述场氧化层侧墙水平上最近为3纳米，所述氮化镓的注入剂量为7×10¹⁵mol；

经过退火冷却后，以所述发射极基区的表面为平面向下挖多个深度为9纳米、并在所述第四目标温度下利用溶胶-凝胶法向所述第二空腔内注入氮化铝形成多个基极基区，其中，所述基极基区之间等距离且距离为20纳米，所述氮化铝的注入剂量为10¹⁷mol；

在所述多晶锗硅层在所述第一目标温度下利用化学气相沉积法使镀镍钢氢氧酯沉淀得到有机化学层，并以所述有机化学层的表面为平面向下挖形成第一接触孔，其中，所述第一接触孔的下表面为所述基极基区的上表面，所述第一接触孔与为所述基极基区对应，并在所述第一接触孔之间、以所述有机化学层的表面为平面向下挖形成第二接触孔，其中，所述第二接触孔的下表面与所述第一接触孔的下表面处于同一水平面上；

向所述第一接触孔内注入二氧化锑形成均匀的第一凸点并向所述第二接触孔利用热沉淀的方法在第五目标温度下淀积二氧化硅形成均匀的第二凸点，其中，所述第一凸点直径为0.2纳米，所述第二凸点直径为0.3纳米，并在所述多晶锗硅层的表面、所述第一凸点的表面和所述第二凸点的表面形成多晶硅层，所述多晶硅的上表面距离所述场氧化层侧墙3纳米，并在所述多晶硅的上表面形成金属层；

将所述发射极基区作为所述有机三极管的发射区，将所述硅基板作为所述有机三极管的集电极，将所述基极基区作为所述有机三极管的基区。

2.根据权利要求1所述的有机三极管制作方法，其特征在于，所述场氧化层侧墙切面呈五边形，其中所述五边形由边长为5纳米的三角形和边长分别为8纳米和10纳米的四边形组合而成。

3.根据权利要求2所述的有机三极管制作方法，其特征在于，所述氧化铝薄膜层的厚度为0.5纳米，所述多晶锗硅层的厚度为2纳米，其中，所述多晶锗硅层覆盖所述场氧化层侧墙裸露的三角形表面。

4.根据权利要求1-3任一项所述的有机三极管制作方法，其特征在于，所述第一目标温度为700-950摄氏度，所述第二目标温度为1100-1300摄氏度，所述第三目标温度为800-900摄氏度，所述第四目标温度为1600-1650摄氏度，所述第五目标温度为1300-1350摄氏度。

5.一种有机三极管，其特征在于，所述有机三极管通过权利要求1-4任一项所述的有机三极管制作方法制作得到。