[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种用于制造半导体器件的方法，包括：

在衬底上方形成绝缘结构，其中，所述衬底具有与所述绝缘结构分离的半导体鳍；

在所述半导体鳍上方和绝缘结构的面向所述半导体鳍的侧壁上方沉积高k介电层；

蚀刻所述高k介电层的沿所述绝缘结构的侧壁延伸的第一部分，其中，所述高k介电层的第二部分保留在所述半导体鳍上方；以及

在所述高k介电层的所述第二部分上方沉积栅电极。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在沉积所述栅电极之前，在所述高k介电层上方沉积金属层。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，在沉积所述金属层之后，执行对所述高k介电层的所述第一部分的蚀刻。

4.根据权利要求3所述的方法，还包括：

蚀刻所述绝缘结构的所述侧壁上方的所述金属层的一部分。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述半导体鳍上形成伪层；

在所述伪层的侧壁上方形成间隔件；

蚀刻所述伪层以在所述伪层中形成孔，所述孔与所述半导体鳍分离，其中，执行形成绝缘结构的步骤，使得在所述孔中形成所述绝缘结构；以及

去除所述伪层以形成开口，其中，执行沉积所述高k介电层的步骤，使得所述高k介电层沉积在所述开口中。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，执行沉积所述高k介电层的步骤，使得所述高k介电层沉积在所述间隔件的面向所述开口的侧壁上方。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，执行对所述高k介电层的所述第一部分的蚀刻，使得蚀刻所述高k介电层的在所述间隔件的所述侧壁上方的第三部分。

8.一种用于制造半导体器件的方法，包括：

在衬底的半导体鳍上形成伪层；

在所述伪层的侧壁上方形成间隔件；

在形成所述间隔件之后，蚀刻所述伪层以在所述伪层中形成孔；

在所述孔中形成绝缘结构；

去除所述伪层；

在所述半导体鳍上方和所述绝缘结构的面向所述半导体鳍的侧壁上方沉积介电层；

蚀刻所述介电层，使得蚀刻后的所述介电层保留在所述半导体鳍上方并与所述绝缘结构分离；以及

在蚀刻后的所述介电层上方沉积栅电极。

9.一种用于制造半导体器件的方法，包括：

形成跨越衬底的半导体鳍的伪层；

在所述伪层的侧壁上方形成间隔件；

在所述伪层中形成绝缘结构；

去除所述伪层；

在所述半导体鳍上方和所述绝缘结构的面向所述半导体鳍的侧壁上方沉积介电层；

在所述介电层上方沉积金属层；

蚀刻金属层的位于所述绝缘结构的侧壁上方的第一部分，其中，所述金属层的第二部分保留在所述半导体鳍上方；以及

在所述金属层的所述第二部分上方沉积栅电极。

10.一种用于制造半导体器件的方法，包括：

在衬底之上形成绝缘结构，其中，所述衬底具有与所述绝缘结构分隔开的至少一个半导体鳍以在所述绝缘结构和所述半导体鳍之间形成间隙；

形成栅极堆叠件的高k介电层以覆盖部分所述半导体鳍和面向所述半导体鳍的所述绝缘结构的侧壁；

去除覆盖所述绝缘结构的所述侧壁的部分所述高k介电层；以及

在所述高k介电层之上形成所述栅极堆叠件的栅电极，从而使得所述栅电极至少设置在所述绝缘结构和所述半导体鳍之间的所述间隙中。