[发明专利]动态随机存储器及其制造方法

说明书

本发明提供一种动态随机存储器及其制造方法，涉及存储器技术领域，该动态随机存储器包括基底以及设置在基底上连接垫和电容器，其中，电容器包括第一电极层，第一电极层具有向基底延伸的延伸部，延伸部包覆在所述连接垫的顶面及侧面。本发明提供的延伸部能够同时包覆在连接垫的顶面和侧面，增加第一电极层与连接垫的接触面积，降低第一电极层与连接垫之间的接触电阻，进而减小动态随机存储器的信号延迟，提高了动态随机存储器的性能，此外，延伸部还可以增加电容孔与连接垫之间的作用力，降低了后续的制作工艺中出现电容器坍塌的风险。

技术领域

本发明涉及存储器技术领域，尤其涉及一种动态随机存储器及其制造方法。

背景技术

动态随机存储器(Dynamic random access memory，简称Dram)是一种高速地、随机地写入和读取数据的半导体存储器，被广泛地应用到数据存储设备或装置中。动态随机存储器一般包括基底以及设置在基底上连接垫和电容器，其中，连接垫具有朝向基底的底面和远离基底的顶面，电容器的第一电极层靠近基底的端部与连接垫的顶面电连接。

但是，电容器的第一电极层与连接垫之间的接触电阻较大，易存在信号延迟，影响动态随机存储器的性能，而且形成电容结构过程中，由于电容孔具有高深宽比，在后续制作工艺过程中比较容易出现电容器坍塌的风险。

发明内容

鉴于上述问题，本发明实施例提供一种动态随机存储器及其制造方法，用于降低电容器与连接垫之间的接触电阻，减轻信号延迟，提升动态随机存储器的性能，同时，提高电容孔与连接垫的作用力，降低了在后续制作工艺中出现电容器坍塌的风险。

为了实现上述目的，本发明实施例提供如下技术方案：

本发明实施例的第一方面提供一种动态随机存储器，其包括：基底、连接垫以及电容器；所述连接垫设于所述基底上，所述连接垫具有朝向所述基底的底面和远离所述基底的顶面，所述连接垫的底面与所述基底接触；

所述电容器设在所述连接垫上，且所述电容器具有第一电极层，所述第一电极层具有向所述基底延伸的延伸部，所述延伸部包覆在所述连接垫的顶面及侧面。

如上所述的动态随机存储器，其中，所述延伸部包括第一延伸部和第二延伸部，所述第一延伸部包覆在所述连接垫的顶面，所述第二延伸部包覆在所述连接垫的侧面，所述第一延伸部与所述第二延伸部之间具有夹角，所述夹角位于50-90度之间。

如上所述的动态随机存储器，其中，所述电容容器还包括与所述第一电极层异层设置的第二电极层，所述第二电极层设在所述第一电极层远离所述基底的一侧，并与所述第一电极层具有重叠区域；

所述第一电极层与所述第二电极层之间设有介电层。

如上所述的动态随机存储器，其中，所述基底与所述电容器之间设置介电结构，所述连接垫设在所述介电结构内；

所述基底内设有电容器接触窗，所述连接垫的底面与所述电容器接触窗电连接。

如上所述的动态随机存储器，其中，所述连接垫包括第一连接部和第二连接部，以及设置在所述第一连接部和所述第二连接部之间并分别与所述第一连接部和所述第二连接部连接的过渡部，其中，所述第一连接部与所述电容器接触窗电连接，所述第二连接部与所述第一电极层电连接；

以平行于所述基底的平面为截面，所述过渡部的截面积小于所述第一连接部的截面积以及小于所述第二连接部的截面积。

如上所述的动态随机存储器，其中，所述延伸部覆盖所述第二连接部与所述第一电极层接触的顶面和所述第二连接部的侧面。

如上所述的动态随机存储器，其中，所述介电结构上设有多个所述电容器以及将多个所述电容器分隔开的支撑层。

本发明实施例的第二方面提供一种动态随机存储器的制造方法，其包括如下的步骤：