[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202010961813.2 | 申请日： | 2020-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN112531013A | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 菅原胜俊;香川泰宏;福井裕 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/088;H01L29/78;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，其具有：
半导体层，其形成有第1导电型的漂移层；
沟槽型的开关元件，其在以到达所述漂移层的方式形成于所述半导体层的第1沟槽内埋入有栅极电极；
沟槽型的电流感测元件，其在以到达所述漂移层的方式形成于所述半导体层的第2沟槽内埋入有栅极电极；
第3沟槽，其在形成有所述开关元件的有源区域与形成有所述电流感测元件的电流感测区域的边界部分的所述半导体层形成，到达所述漂移层；
第2导电型的第1保护层，其在所述漂移层的所述第1沟槽的下方形成；
第2导电型的第2保护层，其在所述漂移层的所述第2沟槽的下方形成；以及
第2导电型的第3保护层，其在所述漂移层的所述第3沟槽的下方形成，
所述第3保护层具有在从所述有源区域朝向所述电流感测区域的第1方向将所述第3保护层截断的截断部。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述第3保护层的所述截断部的宽度小于或等于所述第1沟槽的间隔以及所述第2沟槽的间隔。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
所述第3保护层的所述截断部沿所述第1方向设置有多个。
4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
在所述第3沟槽内，在所述第3保护层的所述截断部之上形成有台面状的所述半导体层。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，
所述第3保护层的所述截断部以及所述台面状的所述半导体层沿所述第1方向设置有多个。
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，
所述第3保护层的所述截断部以及所述台面状的所述半导体层沿所述第1方向以等间隔设置。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
在所述第3沟槽内，台面状的所述半导体层在与所述第1方向正交的第2方向排列形成有多个。
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，
所述台面状的所述半导体层的所述第1方向的长度比所述第2方向的长度长。
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，
所述台面状的所述半导体层在所述第2方向以与所述开关元件的单元的间隔相同的间隔设置。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的半导体装置，其中，
还具有：
第4沟槽，其形成于在所述有源区域以及所述电流感测区域的周围设置的外周区域的所述半导体层，到达所述漂移层；以及
第2导电型的第4保护层，其在所述漂移层的所述第4沟槽的下方形成。
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