[发明专利]先重布线扇出型封装方法及结构

说明书

本发明提供了一种先重布线扇出型封装方法及结构，包括：在硅衬底上的顶面形成重布线层；在所述重布线层的顶面键合晶圆；在所述硅衬底的底面形成空腔，暴露出所述重布线层；将芯片放置于空腔内并与所述重布线层附连；在所述硅衬底的底面上形成塑封层；去除所述晶圆后在所述重布线层的顶面上形成绝缘阻焊层和金属层。

技术领域

本发明涉及半导体封装技术领域，特别涉及一种先重布线扇出型封装方法及结构。

背景技术

嵌入式圆片级球栅阵列(eWLB：Embedded Wafer Level Ball Grid Array)，是在圆片级尺寸封装(Wafer Level Chip Scaled Package，WLCSP)技术基础上发展的一种先进封装技术。对于同一尺寸芯片，采用eWLB封装形式，最终封装尺寸将大于WLCSP，而能够实现更多I/O。eWLB也被称为Fanout封装技术，即扇出型封装技术。

扇出型封装，依据芯片(Die，即裸芯片)与RDL(Redistribution Layer，即重布线层)之间的制备顺序，可以分为面朝上的先芯片封装、面朝下的先芯片封装和面朝下的先重布线层封装等三种主流形式，先重布线层封装具有以下优势：多层RDL布线层直接在Carrier Wafer上制备，而非像其它两种扇出封装一样，在塑封重构晶圆上制备，有利于实现线径细且线距宽多层高密度RDL布线制备。裸芯片通过面朝下的倒装焊接方式，直接和重布线层上预先制备的UBM(under-bump-metal，即凸点下金属)之间形成焊接，有利于降低圆片级塑封过程中遭受模流冲击导致的裸芯片移位以及后续光刻对准困难。采用先芯片方式，无论面朝上还是面朝下，裸芯片均通过高精度贴片机转移至晶圆上，随后采用圆片级塑封工艺实现重构晶圆制备。在圆片级塑封过程中，转移至晶圆上的裸芯片要受到模流冲击的影响而发生移位，给后续RDL制备过程中的光刻对准等引入较大误差。

但现有的先重布线层封装难以突破扇出型封装布线密度瓶颈，且需要进一步显著改善EWLB工艺翘曲问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种先重布线扇出型封装方法及结构，以解决现有的扇出型封装布线密度瓶颈难以突破的问题。

本发明的目的还在于提供一种先重布线扇出型封装方法及结构，以解决现有的嵌入式圆片级球栅阵列工艺造成翘曲问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种先重布线扇出型封装方法及结构，包括：

在硅衬底上的顶面形成重布线层；

在所述重布线层的顶面键合晶圆；

在所述硅衬底的底面形成空腔，暴露出所述重布线层；

将芯片放置于空腔内并与所述重布线层附连；

在所述硅衬底的底面上形成塑封层；

去除所述晶圆后在所述重布线层的顶面上形成绝缘阻焊层和金属层。

可选的，在所述的先重布线扇出型封装方法中，所述在硅衬底上的顶面形成重布线层包括：

利用大马士革工艺方法，在硅衬底的顶面形成多层重布线层；

所述重布线层的线宽为0.3～1微米，所述重布线层的线距为0.5～2微米。

可选的，在所述的先重布线扇出型封装方法中，还包括：

键合晶圆后，在所述硅衬底的底面进行机械减薄或抛光工艺，以将所述硅衬底减薄至第一厚度；

所述第一厚度小于200微米。

可选的，在所述的先重布线扇出型封装方法中，在所述硅衬底的底面形成空腔，暴露出所述重布线层包括：