[发明专利]先重布线扇出型封装方法及结构

权利要求书

1.一种先重布线扇出型封装方法，其特征在于，包括：

在硅衬底上的顶面形成重布线层；

在所述重布线层的顶面键合晶圆；

在所述硅衬底的底面形成空腔，暴露出所述重布线层；

将芯片放置于空腔内并与所述重布线层附连；

在所述硅衬底的底面上形成塑封层；

去除所述晶圆后在所述重布线层的顶面上形成绝缘阻焊层和金属层。

2.如权利要求1所述的先重布线扇出型封装方法，其特征在于，所述在硅衬底上的顶面形成重布线层包括：

利用大马士革工艺方法，在硅衬底的顶面形成多层重布线层；

所述重布线层的线宽为0.3～1微米，所述重布线层的线距为0.5～2微米。

3.如权利要求1所述的先重布线扇出型封装方法，其特征在于，还包括：

键合晶圆后，在所述硅衬底的底面进行机械减薄或抛光工艺，以将所述硅衬底减薄至第一厚度；

所述第一厚度小于200微米。

4.如权利要求1所述的先重布线扇出型封装方法，其特征在于，在所述硅衬底的底面形成空腔，暴露出所述重布线层包括：

在所述硅衬底的底面上进行图形化的光刻、深反应离子刻蚀或湿法腐蚀工艺，直至暴露出所述重布线层。

5.如权利要求1所述的先重布线扇出型封装方法，其特征在于，将芯片放置于空腔内并与所述重布线层附连包括：

采用厚膜光刻、电镀、回流或湿法腐蚀工艺，在待贴装的芯片的正面制备键合微凸点；

在所述键合微凸点上方贴附NCF胶膜；

采用倒装热压焊工艺，将多个芯片倒装贴装至所述空腔内。

6.如权利要求1所述的先重布线扇出型封装方法，其特征在于，在所述硅衬底的底面上形成塑封层包括：

采用晶圆级塑封在所述硅衬底的底面上形成塑封层。

7.如权利要求1所述的先重布线扇出型封装方法，其特征在于，在所述硅衬底的底面上形成塑封层后，在所述塑封层上采用机械减薄抛光工艺，直至暴露出所述芯片。

8.如权利要求1所述的先重布线扇出型封装方法，其特征在于，在所述重布线层的顶面上形成绝缘阻焊层包括：所述重布线层的顶面上采用光刻工艺制备绝缘阻焊层的材料，并进行图形化；

绝缘阻焊层的材料为聚酰亚胺。

9.如权利要求1所述的先重布线扇出型封装方法，其特征在于，在所述重布线层的顶面上形成金属层包括：在所述绝缘阻焊层上，制备晶圆级植球或键合微凸点，并分割成多个子单元。

10.一种先重布线扇出型封装结构，其特征在于，包括：

顶面与重布线层附连的硅衬底，其本体具有贯通的空腔；

芯片，容置于所述空腔内，并且其一面与所述重布线层附连，另一面通过空腔暴露于所述硅衬底的底面；

塑封层，填充于所述芯片和所述硅衬底之间的缝隙；

绝缘阻焊层，覆盖部分所述重布线层的顶面；

金属层，覆盖部分所述重布线层的顶面。