[发明专利]显示面板及其制作方法有效
申请号: | 202010928793.9 | 申请日: | 2020-09-07 |
公开(公告)号: | CN112086488B | 公开(公告)日: | 2022-07-12 |
发明(设计)人: | 李莎莎;朱小光 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 吕姝娟 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制作方法 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括:
衬底,包括第一区域和第二区域,所述第二区域设于所述第一区域的至少一侧;
第一薄膜晶体管层,所述第一薄膜晶体管层设于所述衬底上且设于所述第一区域,所述第一薄膜晶体管层包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管同层设置;
第一发光层,所述第一发光层设于所述第一薄膜晶体管层远离所述衬底的一侧,所述第一发光层和所述第一薄膜晶体管电性连接,所述第一薄膜晶体管控制所述第一发光层的发光情况;
第二发光层,所述第二发光层设于所述衬底远离所述第一薄膜晶体管层的一侧,所述第二发光层和所述第二薄膜晶体管电性连接,所述第二薄膜晶体管控制所述第二发光层的发光情况;
第二薄膜晶体管层,所述第二薄膜晶体管层设于所述衬底上且设于所述第二区域,所述第二薄膜晶体管层和所述第一薄膜晶体管层同层设置,所述第二薄膜晶体管层包括第三薄膜晶体管;
第三发光层,所述第三发光层设于所述第二薄膜晶体管层远离所述衬底的一侧,所述第三发光层和所述第三薄膜晶体管电性连接,所述第三薄膜晶体管控制所述第三发光层的发光情况。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括:
第一平坦层,所述第一平坦层设于所述第一薄膜晶体管层靠近所述第一发光层的一侧,所述第一平坦层包括第一通孔,所述第一通孔与所述第一薄膜晶体管相对设置,所述第一发光层通过所述第一通孔和所述第一薄膜晶体管电性连接;
第二通孔,所述第二通孔设于所述衬底上,所述第二通孔与所述第二薄膜晶体管相对设置,所述第二发光层通过所述第二通孔和所述第二薄膜晶体管电性连接。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括:
第二平坦层,所述第二平坦层设于所述第二薄膜晶体管层靠近所述第三发光层的一侧,所述第二平坦层包括第三通孔,所述第三通孔与所述第三薄膜晶体管相对设置,所述第三发光层通过所述第三通孔和所述第三薄膜晶体管电性连接。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第二平坦层和所述第一平坦层同层设置。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述衬底还包括第三区域,所述第三区域位于所述第一区域和所述第二区域之间,所述第三区域用于弯曲所述显示面板,所述显示面板还包括:
弯曲层,所述弯曲层设于所述衬底上,所述弯曲层位于所述第三区域,所述弯曲层和所述第二薄膜晶体管层同层设置。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括:
电源模组,所述电源模组设于所述衬底远离所述第二薄膜晶体管层一侧,所述电源模组位于所述第二区域,所述电源模组向所述第一薄膜晶体管层和所述第二薄膜晶体管层提供工作电压。
7.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一发光层中包括多个第一发光部,所述第二发光层中包括多个第二发光部,所述第三发光层中包括多个第三发光部,所述多个第二发光部的排布密度和所述多个第一发光部的排布密度相同或者不同,所述多个第三发光部的排布密度和所述多个第一发光部的排布密度相同。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的