[发明专利]发光面板及其制备方法、显示面板在审
| 申请号: | 202010917665.4 | 申请日: | 2020-09-03 |
| 公开(公告)号: | CN112071862A | 公开(公告)日: | 2020-12-11 |
| 发明(设计)人: | 朱茂霞;徐洪远;王旭 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;H01L25/16;G09F9/33 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 远明 |
| 地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光 面板 及其 制备 方法 显示 | ||
本申请公开了一种发光面板及其制备方法、显示面板,发光面板包括发光板,发光板包括基板;设置于基板上的第一金属层;覆盖第一金属层的栅极绝缘层;设置于栅极绝缘层远离所述第一金属层的一侧的第二金属层,第二金属层包括位于发光板的绑定区的连接部,连接部的表面上设置有通过化学镀膜形成的导电保护层。利用导电保护层对连接部进行保护,避免连接部裸露在空气中被氧化导致阻抗大幅度增加,同时导电保护层是通过化学镀膜的方式形成于连接部的表面,导电保护层无需通过光罩制程即可成型,可以减少发光面板生产过程中的一道光罩制程,发光面板的生产仅需四道光罩制程,可以降低生产成本。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种发光面板及其制备方法、显示面板。
背景技术
目前,由于传统的LCD面板中背光的局限性,如功耗大、对比度低等缺点,迫使LCD面板的背光朝着局部可控制的方向发展,行业内因此而出现Mini LED和Micro LED显示技术。Mini LED和Micro LED显示技术是在传统的LCD显示技术的基础上,利用多颗小体积或微型体积的发光芯片作为LCD面板的发光面板,从而实现可分区控制,以提高显示画面的对比度。
Mini LED和Micro LED面板中,发光面板一般包括基板、设置于基板上的第一金属层、覆盖第一金属层的绝缘层、设置于绝缘层上的第二金属层以及覆盖第二金属层的钝化层,发光面板具有发光区和位于发光区侧部的绑定区,第二金属层位于绑定区的部分露出第二钝化层以裸露于空气中,以便于邦定COF(覆晶薄膜板)等驱动芯片。
然而,第二金属层位于绑定区的部分在空气中容易被氧化,第二金属层被氧化后阻抗大幅度增加,导致可靠性降低。
发明内容
本申请实施例提供一种发光面板及其制备方法、显示面板,以解决现有的MiniLED和Micro LED面板中,第二金属层位于绑定区的部分在空气中容易被氧化,第二金属层被氧化后阻抗大幅度增加,导致可靠性降低的技术问题。
为解决上述问题,本发明提供的技术方案如下:
第一方面,本申请提供一种发光面板,所述发光面板包括发光板,所述发光板具有发光区和位于所述发光区的侧部的绑定区,所述发光板包括:
基板;
设置于所述基板上的第一金属层;
覆盖所述第一金属层的栅极绝缘层;
设置于所述栅极绝缘层远离所述第一金属层的一侧的第二金属层;
以及设置于所述第二金属层远离所述栅极绝缘层的一侧的发光芯片;
其中,所述第二金属层包括位于所述绑定区的连接部,所述连接部的表面上设置有通过化学镀膜形成的导电保护层。
在一些实施例中,所述导电保护层包括锡金属层。
在一些实施例中,所述发光板还包括设置于所述栅极绝缘层远离所述第一金属层的一侧上的有源层,所述有源层包括有源岛;
其中,所述有源岛包括半导体层,所述半导体层包括沟道区以及位于所述沟道区侧部的掺杂区,所述掺杂区上设置有离子掺杂层,所述第二金属层还包括设置于所述离子掺杂层上的源漏极。
在一些实施例中,所述发光板还包括设置于所述栅极绝缘层远离所述第一金属层的一侧上的钝化层;
所述连接部包括第一部分和位于所述第一部分的侧部的第二部分,所述钝化层覆盖所述第一部分,所述导电保护层设置于所述第二部分的表面上。
第二方面,本申请还提供一种发光面板的制备方法,包括:
S10、在基板上形成第一金属层;
S20、形成覆盖所述第一金属层的栅极绝缘层;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





