[发明专利]OLED面板的制作方法、OLED面板

说明书

本发明公开了一种OLED面板的制作方法、OLED面板。现有的OLED面板存在开口率低、电容存储能力差的问题。本发明通过将第一导体层与遮光层搭接，将像素电极与源极连接，去除电容区域的平坦层和钝化层，提高了OLED面板的开口率，电容存储能力大幅提升，设计自由度更高，可应用于更大尺寸的OLED面板，提高了电容保持能力。

技术领域

本发明涉及显示领域，具体涉及一种OLED面板的制作方法、OLED面板。

背景技术

有机发光器件OLED(Organic Light Emitting Diode)相对于液晶显示器(LCD)，具有自发光、反应快、视角广、亮度高、色彩艳、轻薄等优点，被认为是下一代显示技术。其中，对于底发射型显示面板而言，开口率和电容的存储能力是衡量其优劣的重要参数之一。

图1为一种现有OLED面板的结构图。如图1所示，该面板包括基板101、遮光层102、第一导体层103、缓冲层104、有源层105、第二导体层106、栅极绝缘层107、栅极108、第二绝缘层109、源极110、漏极111、钝化层112、平坦层113、像素电极114和像素定义层115。现有技术中，将第一半导体层103、缓冲层104和第二半导体层106作为透明电容结构应用于底发射OLED，由于透明电容结构不会影响电容区域，开口率增大，但是电容的存储能力受限。

因此，如何同时提高OLED面板的开口率和电容存储能力成为了本领域技术人员亟待解决的技术问题和始终研究的重点。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种OLED面板的制作方法、OLED面板，以解决现有的OLED面板的开口率低、电容存储能力低的问题。

为此，本发明实施例提供了如下技术方案：

本发明第一方面提供了一种OLED面板的制作方法，包括如下步骤：

在基板上形成遮光层；

在所述基板和所述遮光层上涂布透明金属氧化物，并对所述透明金属氧化物进行图案化，形成第一导体层，所述第一导体层的一端与所述遮光层搭接；

在所述基板上依次沉积缓冲层、半导体层、第一绝缘层和第一金属层，并对所述半导体层、所述第一绝缘层和所述第一金属层进行图案化，形成第一半导体层、第二半导体层、栅极绝缘层和栅极，所述第一半导体层与所述第二半导体层间隔设置；

以所述栅极及所述栅极绝缘层为遮挡，对所述第一半导体层与所述第二半导体层进行等离子处理，得到有源层以及与所述有源层间隔设置的第二导体层；

形成覆盖所述缓冲层、第一导体层、第二导体层、栅极绝缘层和栅极的第二绝缘层，并对所述第二绝缘层和所述缓冲层进行图案化，形成暴露出有源层的第一过孔、暴露出有源层的第二过孔和暴露出遮光层的第三过孔；

在所述第二绝缘层上形成第二金属层，并对所述第二金属层进行图案化，形成源极和漏极，所述漏极通过所述第一过孔与所述有源层连接，所述源极通过所述第二过孔与所述有源层连接，所述源极通过所述第三过孔与所述遮光层连接；

形成覆盖所述缓冲层、所述源极和所述漏极的钝化层；

形成覆盖所述钝化层的平坦层，并对所述钝化层和所述平坦层进行图案化，形成暴露出源极的第四过孔和暴露出第二绝缘层的开口；

在所述平坦层和所述开口上涂布透明金属氧化物，并对所述透明金属氧化物进行图案化，形成像素电极，所述像素电极通过所述第四过孔与所述源极连接；

形成覆盖所述平坦层和所述像素电极的像素定义层，并对所述像素定义层进行图案化暴露出位于所述开口上方的像素电极。

进一步地，所述第一透明导电层、缓冲层、第二透明导电层、第二绝缘层与所述像素电极形成三层夹心透明电容结构。