[发明专利]OLED面板的制作方法、OLED面板

权利要求书

1.一种OLED面板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

在基板上形成遮光层；

在所述基板和所述遮光层上涂布透明金属氧化物，并对所述透明金属氧化物进行图案化，形成第一导体层，所述第一导体层的一端与所述遮光层搭接；

在所述基板上依次沉积缓冲层、半导体层、第一绝缘层和第一金属层，并对所述半导体层、所述第一绝缘层和所述第一金属层进行图案化，形成第一半导体层、第二半导体层、栅极绝缘层和栅极，所述第一半导体层与所述第二半导体层间隔设置；

以所述栅极及所述栅极绝缘层为遮挡，对所述第一半导体层与所述第二半导体层进行等离子处理，得到有源层以及与所述有源层间隔设置的第二导体层；

形成覆盖所述缓冲层、第一导体层、第二导体层、栅极绝缘层和栅极的第二绝缘层，并对所述第二绝缘层和所述缓冲层进行图案化，形成暴露出有源层的第一过孔、暴露出有源层的第二过孔和暴露出遮光层的第三过孔；

在所述第二绝缘层上形成第二金属层，并对所述第二金属层进行图案化，形成源极和漏极，所述漏极通过所述第一过孔与所述有源层连接，所述源极通过所述第二过孔与所述有源层连接，所述源极通过所述第三过孔与所述遮光层连接；

形成覆盖所述缓冲层、所述源极和所述漏极的钝化层；

形成覆盖所述钝化层的平坦层，并对所述钝化层和所述平坦层进行图案化，形成暴露出源极的第四过孔和暴露出第二绝缘层的开口；

在所述平坦层和所述开口上涂布透明金属氧化物，并对所述透明金属氧化物进行图案化，形成像素电极，所述像素电极通过所述第四过孔与所述源极连接；

形成覆盖所述平坦层和所述像素电极的像素定义层，并对所述像素定义层进行图案化暴露出位于所述开口上方的像素电极。

2.根据权利要求1所述的OLED面板的制作方法，其特征在于，所述第一透明导电层、缓冲层、第二透明导电层、第二绝缘层与所述像素电极形成三层夹心透明电容结构。

3.根据权利要求1所述的OLED面板的制作方法，其特征在于，所述遮光层的材质为Mo，Al，Cu，Ti中的一种或几种；

所述遮光层的厚度为2000-10000A；

所述第一透明导电层的厚度为200-2000A；

所述缓冲层的厚度为1000-5000A；

所述缓冲层的材质为SiOx和SiNx中的一种或两种的组合。

4.根据权利要求1所述的OLED面板的制作方法，其特征在于，所述第四过孔通过黄光置备。

5.根据权利要求1所述的OLED面板的制作方法，其特征在于，所述半导体层的厚度为100-1000A；

所述半导体层的材质为IGZO，IZTO，IGZTO中的一种；

所述栅极绝缘层的厚度为1000-3000A；

所述源漏金属层的材质为Mo，Al，Cu，Ti中的一种或几种，厚度为2000-8000A。

6.根据权利要求1所述的OLED面板的制作方法，其特征在于，所述第二绝缘层的材质为SiOx和SiNx中的一种或两种的组合；

所述第二绝缘层的厚度为2000A-10000A。

7.根据权利要求1所述的OLED面板的制作方法，其特征在于，所述钝化层的材质为SiOx和SiNx中的一种或两种的组合；

所述钝化层的厚度为1000-5000A；

所述像素电极的材质为ITO或IZO；

所述像素电极的厚度为200-2000A。