[发明专利]TFT器件及其制备方法、阵列基板

权利要求书

1.一种TFT器件，其特征在于，至少包括遮光层、有源层、栅极、源极以及漏极，其中，所述栅极包括不同层设置的第一子栅极和第二子栅极，在所述TFT器件的膜层厚度上，所述第一子栅极位于所述有源层与所述源极及所述漏极之间，所述第一子栅极与所述第二子栅极电性连接；

所述有源层呈U型，所述第二子栅极至少包括一个栅极金属图案，所述第二子栅极与所述源极及所述漏极同层设置，所述栅极金属图案通过过孔与所述第一子栅极的表面或侧面电性连接；其中，所述第二子栅极包括间隔设置的两个所述栅极金属图案，两个所述栅极金属图案分别位于所述U型两侧。

2.根据权利要求1所述的TFT器件，其特征在于，所述有源层包括源极掺杂区、漏极掺杂区、以及位于所述源极掺杂区和所述漏极掺杂区之间的沟道区，所述源极掺杂区和所述漏极掺杂区分别位于所述U型的两端，所述第一子栅极覆盖所述U型中部，未覆盖所述U型的底部。

3.根据权利要求2所述的TFT器件，其特征在于，在所述TFT器件的膜层厚度上，所述源极与所述U型一侧重叠，所述漏极与所述U型另一侧的端部重叠，所述源极通过源极接触孔与所述源极掺杂区电性连接，所述漏极通过漏极接触孔与所述漏极掺杂区电性连接。

4.根据权利要求1所述的TFT器件，其特征在于，两个所述栅极金属图案通过过孔与同一根扫描线电性连接，两个所述栅极金属图案同时对所述第一子栅极充电，待所述第一子栅极靠近所述有源层一侧覆着预设电荷后，预设电荷产生预设电场以使沟道区中的电子和空穴发生预设方向运动。

5.根据权利要求1所述的TFT器件，其特征在于，所述第一子栅极为钼、铜、铬、钨、钽以及钛中的一种或多种组合材料，所述第二子栅极为铝或铝合金。

6.根据权利要求1所述的TFT器件，其特征在于，在所述TFT器件的膜层厚度方向上，所述第一子栅极位于所述遮光层内，且所述第一子栅极的材料与所述遮光层的材料相同。

7.一种TFT器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

步骤S10，提供衬底基板，在所述衬底基板上制备遮光层，在所述衬底基板上制备缓冲层，在所述缓冲层上制备对应于所述遮光层上方的有源层；

步骤S20，在所述缓冲层上制备栅绝缘层，在所述栅绝缘层上制备对应于所述有源层上方的第一子栅极，在所述栅绝缘层上制备层间绝缘层，在所述层间绝缘层上制备对应于所述第一子栅极上方的第二子栅极、源极以及漏极，其中，所述第一子栅极与所述第二子栅极电性连接；

所述有源层呈U型，所述第二子栅极至少包括一个栅极金属图案，所述第二子栅极与所述源极及所述漏极同层设置，所述栅极金属图案通过过孔与所述第一子栅极的表面或侧面电性连接；其中，所述第二子栅极包括间隔设置的两个所述栅极金属图案，两个所述栅极金属图案分别位于所述U型两侧。

8.根据权利要求7所述的TFT器件的制备方法，其特征在于，步骤S20具体还包括：

所述第一子栅极为钼、铜、铬、钨、钽以及钛中的一种或多种组合材料，两个所述栅极金属图案为铝或铝合金。

9.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括权利要求1至6任一项所述的TFT器件。