[发明专利]半导体缺陷扫描程式建立方法及其建立系统

权利要求书

1.一种半导体缺陷扫描程式建立方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1，选择工艺平台和工艺流程；

S2，在上述工艺平台和工艺流程下，选择基准产品；

S3，采集基准产品不同工艺层次后的缺陷扫描程式数据，建立数据库；

S4，将新产品的工艺平台、工艺流程以及对应材料参数与基准产品的工艺平台、工艺流程以及对应材料参数进行比较；

若无差异，则对新产品定义缺陷扫描区域后使用基准产品对应层级的缺陷程式参数一次性建立新产品扫描程式；

若存在差异，则将该新产品作为基准产品建立数据库。

2.如权利要求1所述的半导体缺陷扫描程式建立方法，其特征在于：实施步骤S3时，有源区氧化层沉积后，采集工艺参数包括：入射光强、聚焦数值、对比窗口尺寸、各扫描区域的training光强和指定为缺陷的信噪比。

3.如权利要求1所述的半导体缺陷扫描程式建立方法，其特征在于：实施步骤S3时，有源区刻蚀后，采集工艺参数包括：入射光强、聚焦数值、对比窗口尺寸、各扫描区域的training光强和指定为缺陷的信噪比。

4.如权利要求1所述的半导体缺陷扫描程式建立方法，其特征在于：实施步骤S3时，多晶硅刻蚀后，采集工艺参数包括：入射光强、聚焦数值、对比窗口尺寸、各扫描区域的training光强和指定为缺陷的信噪比。

5.如权利要求1所述的半导体缺陷扫描程式建立方法，其特征在于：实施步骤S3时，生产计划中缺陷扫描站点采集工艺参数包括：入射光强、聚焦数值、对比窗口尺寸、各扫描区域的training光强和指定为缺陷的信噪比。

6.一种半导体缺陷扫描程式建立系统，其特征在于，包括：

选择模块，其用于选择半导体器件的选择工艺平台和工艺流程，并在上述工艺平台和工艺流程下，选择基准产品；

采集模块，其用于采集基准产品不同工艺层次后的缺陷扫描程式数据，建立数据库；

比较模块，其用于将新产品的工艺平台、工艺流程以及对应材料参数与基准产品的工艺平台、工艺流程以及对应材料参数进行比较；

程式建立模块，其根据比较模块的比较结果决定是否建立新产品扫描程式；

若无差异，则对新产品定义缺陷扫描区域后使用基准产品对应层级的缺陷程式参数一次性建立新产品扫描程式；

若存在差异，则将该新产品作为基准产品建立数据库。

7.如权利要求6所述的半导体缺陷扫描程式建立系统，其特征在于：采集模块在有源区氧化层沉积后，采集工艺参数包括：入射光强、聚焦数值、对比窗口尺寸、各扫描区域的training光强和指定为缺陷的信噪比。

8.如权利要求6所述的半导体缺陷扫描程式建立系统，其特征在于：采集模块在有源区刻蚀后，采集工艺参数包括：入射光强、聚焦数值、对比窗口尺寸、各扫描区域的training光强和指定为缺陷的信噪比。

9.如权利要求6所述的半导体缺陷扫描程式建立系统，其特征在于：采集模块在多晶硅刻蚀后，采集工艺参数包括：入射光强、聚焦数值、对比窗口尺寸、各扫描区域的training光强和指定为缺陷的信噪比。

10.如权利要求6所述的半导体缺陷扫描程式建立系统，其特征在于：采集模块对生产计划中缺陷扫描站点采集工艺参数包括：入射光强、聚焦数值、对比窗口尺寸、各扫描区域的training光强和指定为缺陷的信噪比。