[发明专利]芯片整配系统及芯片整配方法在审

专利信息
申请号: 202010848710.5 申请日: 2020-08-21
公开(公告)号: CN114078720A 公开(公告)日: 2022-02-22
发明(设计)人: 颜伍宏;黄议贤;林畯棠;陈淑华;张守骐 申请(专利权)人: 矽品精密工业股份有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67
代理公司: 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 代理人: 程伟;王锦阳
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 芯片 系统 配方
【说明书】:

发明涉及一种芯片整配系统及芯片整配方法,包括先将第一晶圆中的多个第一电子元件定义为不同等级的芯片,且将第二晶圆中的多个第二电子元件定义为不同等级的芯片,再将该第一电子元件与第二电子元件进行等级配对,以产生目标资讯,之后将该第一与第二电子元件依据该目标资讯整合于同一处,故可将最高等级的芯片配置于多芯片模块中,以优化该多芯片模块的品质。

技术领域

本发明有关封装制程,特别有关于多芯片模块封装制程的芯片整配系统及芯片整配方法。

背景技术

现有半导体制程中,晶圆于制造完成后,会进行薄化、封装、切单等制程,其中,于进行各制程时,需经由承载板(如封装基板、暂时性玻璃载板或其它等)承载该晶圆或芯片。

于生产线上,需先挑选出不良的芯片,再将良好的芯片重新排列于承载板上。如图1所示,先对晶圆1a进行品质检测,以判断出良好(accept)芯片与不良(reject)芯片X,再将各该良好芯片进行功能表现(functionality performance)的品质分类,以依序功能表现的高低,定义出第一等级芯片1、第二等级芯片7、第三等级芯片8及第四等级芯片9,其中,功能表现以第一等级最好,第四等级最差。之后,依照S形连续转弯路径L逐一拣选(pick)良好芯片(第一等级芯片1、第二等级芯片7、第三等级芯片8及第四等级芯片9)至承载板上,再进行后续封装作业。

早期封装结构通常只需单一芯片即可满足功能需求,故于生产线上只需进行一次芯片封装制程(如覆晶制程或打线制程)。

然而,因为多功能发展与高频高速运算的需求,产品的需求已朝向多芯片模块(multi-chip module,MCM)的发展。

如图1’所示,现有多芯片模块1’需将多个芯片11,12经由多个焊锡凸块13结合至一封装基板10上,再形成包覆该多个芯片11,12的封装材料14,之后可进行植球制程或其它制程等,故于生产线上,需在单一封装基板10上配置多颗芯片11,12,即于生产线上需进行多次芯片打件(pick and place)制程。

然而,于生产线上,该些芯片11,12由不同晶圆中取得,且各该晶圆的芯片11,12的等级状态(如位置、数量等)不一致,故若依照该S形连续转弯路径L逐一拣选(pick)良好芯片(第一等级芯片1、第二等级芯片7、第三等级芯片8及第四等级芯片9)至承载板(如封装基板10)上,将无法控制单一多芯片模块1’中的各芯片11,12的等级,造成各该多芯片模块1’的功能状态无法控制,以致于后续品管作业需淘汰大量功能状态不佳的多芯片模块1’(如该些芯片11,12全部或大多为第四等级芯片9)。

因此,如何克服上述现有技术的缺陷,已成目前亟欲解决的课题。

发明内容

为解决上述问题,本发明提供一种芯片整配系统及芯片整配方法,以优化多芯片模块的品质。

本发明的芯片整配系统包括:第一作动装置,其用于位移第一晶圆所定义出的多个不同等级的第一电子元件;第二作动装置,其用于位移第二晶圆所定义出的多个不同等级的第二电子元件;以及运算模块,其通讯连接该第一作动装置与第二作动装置,以将该第一电子元件与第二电子元件进行等级配对而产生目标资讯,从而使该第一作动装置与第二作动装置依据该目标资讯将至少一该第一电子元件与至少一该第二电子元件整合于一处。

前述芯片整配系统中,该第一作动装置传递第一状态资讯至该运算模块,且该第二作动装置传递第二状态资讯至该运算模块,使该运算模块依该第一状态资讯与该第二状态资讯进行等级配对而产生该目标资讯,其中,该第一状态资讯为该多个第一电子元件配合其等级的资讯,且该第二状态资讯为该多个第二电子元件配合其等级的资讯。

本发明还提供一种芯片整配方法,包括:分别于第一晶圆及第二晶圆中定义出不同等级的多个第一电子元件与多个第二电子元件;将该多个第一电子元件与该多个第二电子元件进行等级配对,以产生目标资讯;以及将至少一该第一与至少一该第二电子元件依据该目标资讯整合于同一处。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于矽品精密工业股份有限公司,未经矽品精密工业股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010848710.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top