[发明专利]光学半导体装置和载体在审

专利信息
申请号: 202010843905.0 申请日: 2020-08-20
公开(公告)号: CN112467513A 公开(公告)日: 2021-03-09
发明(设计)人: 平山雅裕 申请(专利权)人: 住友电工光电子器件创新株式会社
主分类号: H01S5/023 分类号: H01S5/023;H01S5/02315;H01S5/02345;H01S5/02335
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 李兰;孙志湧
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 光学 半导体 装置 载体
【权利要求书】:

1.一种光学半导体装置,包括:

半导体激光芯片;

绝缘基板,所述绝缘基板具有在其上安装所述半导体激光芯片的表面;

接地图案,所述接地图案被设置在所述表面上;

安装图案,所述安装图案被设置在所述表面上,所述安装图案具有与所述接地图案相对的相对侧;

电阻器,所述电阻器被布置成使得所述电阻器的侧边缘与所述相对侧的延伸区域分离;

延伸接地图案,所述延伸接地图案被定位在所述相对侧的所述延伸区域中,所述延伸接地图案被电连接到所述接地图案;

电容器,所述电容器被布置在所述安装图案上。

2.根据权利要求1所述的光学半导体装置,

其中,所述延伸接地图案是一对延伸接地图案,并且所述一对延伸接地图案将所述电阻器夹在其间。

3.根据权利要求2所述的光学半导体装置,进一步包括:

键合线,所述键合线彼此连接被定位在所述电阻器的两侧的所述一对延伸接地图案。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的光学半导体装置,

其中,具有比所述接地图案窄的宽度的突出部被布置在所述接地图案和所述电阻器之间。

5.根据权利要求1所述的光学半导体装置,

其中,所述电阻器的一端被电连接到所述安装图案,所述电阻器的另一端被电连接到从所述接地图案延伸的突出部,所述突出部具有比所述安装图案窄的宽度。

6.一种光学半导体装置,包括:

半导体激光芯片;

绝缘基板,所述绝缘基板具有在其上安装所述半导体激光芯片的表面;

接地图案,所述接地图案被设置在所述表面上;

安装图案,所述安装图案被设置在所述表面上,所述安装图案包括主区域和具有比所述主区域窄的宽度的突出部,其中,所述突出部具有侧边缘,所述侧边缘在所述主区域的与所述接地图案相对的相对侧的延伸上;

电阻器,所述电阻器被布置在所述突出部的延伸上,所述电阻器的侧面与所述接地图案相对;

电容器,所述电容器被布置在所述安装图案的所述主区域上。

7.根据权利要求6所述的光学半导体装置,进一步包括:

延伸接地图案,所述延伸接地图案被布置成与所述接地图案相对以便将所述突出部和所述电阻器夹在其间,所述延伸接地图案被电连接到所述接地图案。

8.一种载体,包括:

绝缘基板,所述绝缘基板具有被配置成在其上安装半导体激光芯片的表面;

接地图案,所述接地图案被设置在所述表面上;

安装图案,所述安装图案被设置在所述表面上,所述安装图案具有被配置成在其上布置电容器的上表面和与所述接地图案相对的相对侧;

区域,所述区域被配置成在其上布置被连接到所述安装图案的电阻器;以及

延伸接地图案,所述延伸接地图案被定位在所述相对侧的延伸区域上,所述延伸接地图案被电连接到所述接地图案。

9.根据权利要求8所述的载体,

其中,所述延伸接地图案是一对延伸接地图案,所述一对延伸接地图案夹着所述区域,其中,所述电阻器被布置在其间。

10.根据权利要求8或9所述的载体,

其中,具有比所述安装图案窄的宽度的延伸部被布置在所述安装图案和所述区域之间,其中,所述电阻器被布置在所述区域。

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