[发明专利]一种半导体器件、集成电路及电子设备在审
| 申请号： | 202010806679.9 | 申请日： | 2020-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN111933614A | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 李时璟;宋月春 | 申请（专利权）人： | 泉芯集成电路制造（济南）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L23/522;H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 尹秀 |
| 地址： | 250101 山东省济南市*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 集成电路 电子设备 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
衬底；
位于所述衬底一侧表面且叠加设置的多个结构层，所述多个结构层包括至少一个导电层，所述导电层包括有效组件且至少一个所述导电层包括辅助被动组件。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述辅助被动组件包括辅助电阻。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述辅助电阻包括块状电阻、折线状电阻中至少之一者。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，多个所述导电层包括辅助被动组件，所述辅助被动组件包括辅助电容；
其中，所述辅助电容的第一极板和第二极板分别位于不同所述导电层。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述导电层的材质包括导体材质和半导体材质中的至少之一者。
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述导电层的材质包括W、Cu、Co、Al、Ru、TiN、TaN、多晶硅中的至少之一者。
7.一种集成电路，其特征在于，所述集成电路包括权利要求1-6任意一项所述的半导体器件。
8.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括权利要求7所述的集成电路。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于泉芯集成电路制造（济南）有限公司，未经泉芯集成电路制造（济南）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010806679.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
