[发明专利]发光二极管封装结构及封装方法

权利要求书

1.一种发光二极管封装结构，其特征在于，包括：

衬底(10)，具有第一表面(11)，所述第一表面(11)于预设区域内掺杂形成相互绝缘的用于与待封装的发光二极管(20)电连接的第一电极(13)和第二电极(14)；

封装层(30)，设于所述第一表面(11)上且覆盖待封装的发光二极管(20)。

2.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述第一表面(11)为平整的表面，所述第一电极(13)和所述第二电极(14)暴露于所述第一表面(11)，所述发光二极管(20)设于所述第一表面(11)且覆盖所述第一电极(13)和所述第二电极(14)设置，或所述发光二极管(20)在所述第一表面(11)的正投影位于所述第一电极(13)和所述第二电极(14)之间；或者，

所述第一表面(11)为台阶面，台阶面包括呈台阶分布的第一平整面和第二平整面，所述第二平整面的两侧分别设有所述第一平整面，所述发光二极管(20)设置于所述第二平整面，所述第一电极(13)和所述第二电极(14)分别暴露于所述第一平整面上。

3.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述发光二极管(20)为紫外光发光二极管，所述发光二极管(20)与所述第一表面(11)无缝接触设置。

4.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述衬底(10)为硅基底，所述预设区域内分别重掺杂形成所述第一电极(13)和所述第二电极(14)。

5.根据权利要求4所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述第一电极(13)和所述第二电极(14)相互间隔设置，且所述第一电极(13)和所述第二电极(14)均沿同一方向延伸预定长度。

6.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述封装层(30)同时覆盖所述发光二极管(20)、所述第一电极(13)和所述第二电极(14)。

7.根据权利要求1-6任意一项所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述封装层(30)的材质为在250-350nm范围内紫外线透过率为85％以上的聚合物。

8.根据权利要求7所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述封装层(30)的材质为含氟聚合物、丙烯酸酯类聚合物、环氧树脂类聚合物或有机硅聚合物材料。

9.一种发光二极管封装结构的封装方法，其特征在于，包括：

提供衬底(10)，在所述衬底的第一表面(11)侧的预设区域掺杂形成相互绝缘的第一电极(13)和第二电极(14)；

提供发光二极管(20)，将所述发光二极管(20)固定于所述第一表面(11)，并将发光二极管(20)的触角分别与所述第一电极(13)和所述第二电极(14)电连接设置；

在所述发光二极管(20)上覆盖封装材料，并固化形成封装层(30)。

10.根据权利要求9所述的发光二极管封装结构的封装方法，其特征在于，在所述发光二极管(20)上滴注或旋涂所述封装材料。