[发明专利]半导体存储器装置和控制器在审
申请号: | 202010731428.9 | 申请日: | 2020-07-27 |
公开(公告)号: | CN113012733A | 公开(公告)日: | 2021-06-22 |
发明(设计)人: | 金昞寧 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C7/22 | 分类号: | G11C7/22;G11C16/04 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 刘久亮;黄纶伟 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 存储器 装置 控制器 | ||
1.一种半导体存储器装置,该半导体存储器装置包括:
存储器单元阵列,所述存储器单元阵列包括多个存储器单元;
外围电路,所述外围电路被配置成对所述存储器单元阵列执行对应于第一命令的第一操作;以及
控制逻辑,所述控制逻辑被配置成控制由所述外围电路执行的所述第一操作,
其中,所述控制逻辑被配置成响应于在所述第一操作正在执行时接收到的第二命令而控制所述外围电路暂停所述第一操作的执行并且执行对应于所述第二命令的第二操作。
2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置,其中,所述控制逻辑包括:
命令接收器,所述命令接收器被配置成接收所述第一命令和所述第二命令;
操作状态确定器,所述操作状态确定器被配置成生成表示所述半导体存储器装置的操作状态的状态信息;
状态寄存器,所述状态寄存器被配置成基于所述状态信息而生成就绪-忙碌信号;以及
控制信号发生器,所述控制信号发生器被配置成基于所述状态信息以及所述第一命令和所述第二命令而生成用于控制所述外围电路的控制信号。
3.根据权利要求2所述的半导体存储器装置,其中,所述控制逻辑被配置成当所述第二操作完成时控制所述外围电路恢复所述第一操作的执行。
4.根据权利要求3所述的半导体存储器装置,其中,所述控制信号发生器包括:
第一操作控制器,所述第一操作控制器被配置成生成用于执行所述第一操作的控制信号;
操作暂停控制器,所述操作暂停控制器被配置成生成用于暂停所述第一操作的执行的控制信号;
第二操作控制器,所述第二操作控制器被配置成生成用于执行所述第二操作的控制信号;以及
操作恢复控制器,所述操作恢复控制器被配置成生成用于恢复所述第一操作的执行的控制信号。
5.根据权利要求4所述的半导体存储器装置,其中,当所述状态信息表示忙碌状态并且所述第二命令是读取命令时,
所述操作暂停控制器被配置成生成用于控制所述外围电路暂停所述第一操作的执行的第一控制信号,并且
所述第二操作控制器被配置成生成用于控制所述外围电路执行读取操作的第二控制信号。
6.根据权利要求5所述的半导体存储器装置,其中,当所述状态信息表示所述第二操作已经完成时,
所述操作恢复控制器被配置成生成用于控制所述外围电路恢复所述第一操作的执行的第三控制信号。
7.根据权利要求6所述的半导体存储器装置,其中,在所述第一操作的执行被暂停时,在所述第二操作执行时,以及在所述第一操作恢复时,所述就绪-忙碌信号表示忙碌状态。
8.根据权利要求7所述的半导体存储器装置,其中,所述第一操作是编程操作和擦除操作中的任何一种。
9.根据权利要求1所述的半导体存储器装置,其中,响应于在所述第一操作完成之后在就绪状态下接收到的第三命令,
所述控制逻辑被配置成控制所述外围电路执行对应于所述第三命令的第三操作。
10.根据权利要求1所述的半导体存储器装置,其中,响应于在所述第一操作正在执行时接收到的操作暂停命令,
所述控制逻辑被配置成控制所述外围电路暂停所述第一操作的执行。
11.根据权利要求10所述的半导体存储器装置,其中,响应于在所述第一操作的执行被暂停的状态下接收到的第三命令,
所述控制逻辑被配置成控制所述外围电路执行对应于所述第三命令的第三操作。
12.根据权利要求11所述的半导体存储器装置,其中,响应于在所述第三操作的执行完成的状态下接收到的操作恢复命令,
所述控制逻辑被配置成控制所述外围电路恢复所述第一操作。
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