[发明专利]半导体装置

说明书

本发明提供能够使半导体装置的性能提高的技术。半导体装置具有第1导电型的第1半导体区域、第1半导体区域之上的第2导电型的第2半导体区域、第2导电型的第3及第4半导体区域、第1导电型的第5半导体区域、电极。第3半导体区域位于第2半导体区域之上，杂质浓度比第2半导体区域高。第4半导体区域与第2半导体区域相比杂质浓度高，第4半导体区域在俯视观察时位于与第3半导体区域分离的位置，该第4半导体区域与第2半导体区域接触。第5半导体区域位于第2半导体区域之上，在俯视观察时位于第3及第4半导体区域之间。电极不与第4及第5半导体区域接触而是与第3半导体区域接触。

技术领域

本发明涉及半导体装置。

背景技术

在专利文献1中记载有与半导体装置相关的技术。

专利文献1：日本特开2007-324428号公报

关于半导体装置，希望改善其性能。

发明内容

因此，本发明就是鉴于上述点而提出的，其目的在于，提供一种能够使半导体装置的性能提高的技术。

本发明涉及的半导体装置的一个方式具有：第1导电型的第1半导体区域；所述第1半导体区域之上的第2导电型的第2半导体区域；所述第2导电型的第3半导体区域，其位于所述第2半导体区域之上，杂质浓度比所述第2半导体区域高；所述第2导电型的第4半导体区域，其杂质浓度比所述第2半导体区域高，在俯视观察时位于与所述第3半导体区域分离的位置，该第4半导体区域与所述第2半导体区域接触；所述第1导电型的第5半导体区域，其位于所述第2半导体区域之上，在俯视观察时位于所述第3及第4半导体区域之间；以及电极，其不与所述第4及第5半导体区域接触而是与所述第3半导体区域接触。

另外，本发明涉及的半导体装置的一个方式具有：第1导电型的第1半导体区域；所述第1半导体区域之上的第2导电型的第2半导体区域；所述第2导电型的第3半导体区域，其位于所述第2半导体区域之上，杂质浓度比所述第2半导体区域高；所述第2导电型的第4半导体区域，其杂质浓度比所述第2半导体区域高，在俯视观察时位于与所述第3半导体区域分离的位置，该第4半导体区域与所述第2半导体区域接触；凹部，其在俯视观察时位于所述第3及第4半导体区域之间，该凹部形成于所述第2半导体区域；绝缘膜，其将所述凹部填充；以及电极，其不与所述第4及第5半导体区域接触而是与所述第3半导体区域接触。

发明的效果

根据本发明，半导体装置的性能提高。

附图说明

图1是表示第1比较对象装置的剖面构造的图。

图2是表示第2比较对象装置的剖面构造的图。

图3是表示半导体装置的剖面构造的一个例子的图。

图4是表示半导体装置的平面构造的一个例子的图。

图5是表示半导体装置的平面构造的一个例子的图。

图6是表示半导体装置的特性的一个例子的图。

图7是表示半导体装置的特性的一个例子的图。

图8是表示半导体装置的特性的一个例子的图。

图9是表示半导体装置的剖面构造的一个例子的图。

图10是表示半导体装置的剖面构造的一个例子的图。

图11是表示半导体装置的剖面构造的一个例子的图。

图12是表示半导体装置的剖面构造的一个例子的图。

图13是表示半导体装置的剖面构造的一个例子的图。

图14是表示半导体装置的剖面构造的一个例子的图。