[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202010730923.8 | 申请日： | 2020-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN112310191A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 冈本隼人;陈则 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/868 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，其具有：
第1导电型的第1半导体区域；
所述第1半导体区域之上的第2导电型的第2半导体区域；
所述第2导电型的第3半导体区域，其位于所述第2半导体区域之上，杂质浓度比所述第2半导体区域高；
所述第2导电型的第4半导体区域，其杂质浓度比所述第2半导体区域高，在俯视观察时位于与所述第3半导体区域分离的位置，该第4半导体区域与所述第2半导体区域接触；
所述第1导电型的第5半导体区域，其位于所述第2半导体区域之上，在俯视观察时位于所述第3及第4半导体区域之间；以及
电极，其不与所述第4及第5半导体区域接触而是与所述第3半导体区域接触。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述第5半导体区域的深度大于或等于所述第3半导体区域的深度。
3.一种半导体装置，其具有：
第1导电型的第1半导体区域；
所述第1半导体区域之上的第2导电型的第2半导体区域；
所述第2导电型的第3半导体区域，其位于所述第2半导体区域之上，杂质浓度比所述第2半导体区域高；
所述第2导电型的第4半导体区域，其杂质浓度比所述第2半导体区域高，在俯视观察时位于与所述第3半导体区域分离的位置，该第4半导体区域与所述第2半导体区域接触；
凹部，其在俯视观察时位于所述第3及第4半导体区域之间，该凹部形成于所述第2半导体区域；
绝缘膜，其将所述凹部填充；以及
电极，其不与所述第4半导体区域接触而是与所述第3半导体区域接触。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，
所述凹部的深度大于或等于所述第3半导体区域的深度。
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