[发明专利]半导体装置和制造该半导体装置的方法

说明书

半导体装置和制造该半导体装置的方法。一种半导体装置包括：设置在基板上的导电层和介电层的交替叠层；沟道层，其设置在穿透交替叠层的贯通部分中；阻挡层，其设置在贯通部分中，并且围绕沟道层的外壁；以及连续蚀刻停止层，其设置在贯通部分中，并且围绕阻挡层的外壁。

技术领域

本发明的示例性实施方式涉及一种电子装置，更具体地，涉及一种半导体装置和制造半导体装置的方法。

背景技术

提出一种三维地集成了存储器单元的半导体装置。半导体装置需要提高可靠性。

发明内容

根据本发明的一个实施方式，一种半导体装置包括：设置在基板上的导电层和介电层的交替叠层；沟道层，其设置在穿透交替叠层的贯通部分中；阻挡层，其设置在贯通部分中，并且围绕沟道层的外壁；以及连续蚀刻停止层，其设置在贯通部分中，并且围绕阻挡层的外壁。

根据本发明的另一实施方式，一种制造半导体装置的方法包括以下步骤：在基板上形成牺牲层和介电层的交替叠层；形成穿透交替叠层的第一贯通部分；形成蚀刻停止层以覆盖第一贯通部分的侧壁；在蚀刻停止层上形成设置在第一贯通部分中的阻挡层；通过蚀刻交替叠层的一部分来形成第二贯通部分；通过第二贯通部分去除牺牲层，以在介电层之间形成气隙；以及形成代替牺牲层的导电层，其中，导电层在填充气隙的状态下与蚀刻停止层接触。

附图说明

现在将在下文中参照附图更全面地描述示例性实施方式；然而，它们可以以不同的形式实施，并且不应解释为限于本文阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式是为了使本公开彻底和完整，并将示例性实施方式的范围完全传达给本领域技术人员。

在附图中，为了图示清楚，可能放大尺寸。应当理解，当一个元件被称为在两个元件“之间”时，它可以是两个元件之间的唯一元件，或者也可以存在一个或更多个中间元件。相同的附图标记始终表示相同的元件。

附图不一定按比例绘制，并且在某些情况下，为了清楚地图示实施方式的特征，比例可能放大。当第一层被称为在第二层“上”或在基板“上”时，它不仅指第一层直接形成在第二层或基板上的情况，还指第三层存在于第一层和第二层或基板之间的情况。

图1A和图1B示出根据本发明的一个实施方式的半导体装置。

图2A至图2H是示出根据本发明的一个实施方式的制造半导体装置的方法的示例的截面图。

图3A和图3B是示出根据本发明的另一实施方式的制造半导体装置的方法的示例的截面图。

图4A和图4B示出根据图1A的变型例的半导体装置。

图5A和图5B示出根据图4A的变型例的半导体装置。

图6A和图6B示出根据本发明的另一实施方式的半导体装置。

图7A至图7H是示出根据本发明的另一实施方式的制造半导体装置的方法的示例的截面图。

图8A和图8B是示出根据本发明的另一实施方式的制造半导体装置的方法的示例的截面图。

图9A和图9B示出根据本发明的另一实施方式的半导体装置。

图10A至图10H是示出根据本发明的另一实施方式的制造半导体装置的方法的示例的截面图。

图11A和图11B是示出根据本发明的另一实施方式的制造半导体装置的方法的示例的截面图。

具体实施方式

下面将参照附图更详细地描述本发明的示例性实施方式。然而，本发明可以以不同的形式实施，并且不应解释为限于本文阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式是为了使本公开彻底和完整，并且将本发明的范围完全传达给本领域技术人员。贯通整个公开内容，在本发明的各个附图和实施方式中相同的附图标记表示相同的部件。