[发明专利]微型发光二极管显示阵列及其制作方法有效
申请号: | 202010687807.2 | 申请日: | 2020-07-16 |
公开(公告)号: | CN112038333B | 公开(公告)日: | 2022-08-12 |
发明(设计)人: | 兰叶;李鹏;杨建明;常远;吴志浩 | 申请(专利权)人: | 华灿光电(浙江)有限公司 |
主分类号: | H01L25/075 | 分类号: | H01L25/075;H01L21/98;H01L27/15;H01L33/48;H01L33/52 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 徐立 |
地址: | 322000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 微型 发光二极管 显示 阵列 及其 制作方法 | ||
1.一种微型发光二极管显示阵列,其特征在于,所述微型发光二极管显示阵列包括电路板(10)、多个芯片(20)、固定层(30)和保护层(40),所述多个芯片(20)间隔设置在所述电路板(10)的第一表面上,每个所述芯片(20)包括依次层叠在所述第一表面上的P型电极(21)、空穴提供层(22)、有源层(23)、电子提供层(24)和N型电极(25),所述固定层(30)和所述保护层(40)依次铺设在从各个所述芯片(20)的电子提供层(24)设置所述N型电极(25)的表面至所述第一表面的连续区域上,所述固定层(30)的柔性沿从所述保护层(40)到所述固定层(30)的方向逐渐增大,所述固定层(30)的厚度在各个所述芯片(20)与所述电路板(10)的交界处最大,所述固定层(30)为采用光照进行固化的胶体,所述保护层(40)包括依次层叠在所述固定层(30)上的氧化硅层(41)、氢氧化铝层(42)、氮化硅层(43)。
2.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示阵列,其特征在于,所述氢氧化铝层(42)的厚度小于所述氮化硅层(43)的厚度,所述氮化硅层(43)的厚度小于所述氧化硅层(41)的厚度。
3.一种微型发光二极管显示阵列的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括:
提供一半导体器件,所述半导体器件包括蓝宝石衬底以及依次层叠在所述蓝宝石衬底上的电子提供层、有源层、空穴提供层、P型电极;
将所述P型电极键合在电路板的第一表面上;
采用激光技术去除蓝宝石衬底;
在从所述电子提供层至所述第一表面的连续区域上铺设固定层,所述固定层的柔性沿从上到下的方向逐渐增大,所述固定层的厚度在各个芯片与所述电路板的交界处最大,所述固定层为采用光照进行固化的胶体;
在所述固定层上铺设保护层,所述保护层包括依次层叠在所述固定层上的氧化硅层、氢氧化铝层、氮化硅层;
在所述电子提供层上设置N型电极,形成芯片。
4.根据权利要求3所述的制作方法,其特征在于,所述提供一半导体器件,包括:
在砷化镓衬底上依次生长电子提供层、有源层和空穴提供层;
在所述空穴提供层上形成第一钝化层,并对所述第一钝化层的表面进行粗化;
在玻璃基板上形成第二钝化层,并对所述第二钝化层的表面进行粗化;
采用第一键合胶分别连接所述第一钝化层的粗化表面和所述第二钝化层的粗化表面;
采用湿法腐蚀技术去除所述砷化镓衬底;
在所述电子提供层上形成第三钝化层,并对所述第三钝化层的表面进行粗化;
在蓝宝石衬底上形成第四钝化层,并对所述第四钝化层的表面进行粗化;
采用第二键合胶分别连接所述第三钝化层的粗化表面和所述第四钝化层的粗化表面;
依次去除所述玻璃基板、所述第二钝化层、所述第一键合胶和所述第一钝化层;
在所述空穴提供层上设置P型电极,形成所述半导体器件。
5.根据权利要求3或4所述的制作方法,其特征在于,所述提供一半导体器件,还包括:
在空穴提供层上生长GaP层;
在所述GaP层上形成GaAs层;
在所述GaAs层上形成连接金属层;
在所述连接金属层上形成惰性金属层。
6.根据权利要求3或4所述的制作方法,其特征在于,所述从所述电子提供层设置所述N型电极的表面至所述第一表面铺设固定层,所述固定层的柔性沿靠近所述固定层的铺设表面的方向逐渐增大,包括:
从所述电子提供层设置所述N型电极的表面至所述第一表面铺设胶体;
采用光照所述胶体进行固化,形成所述固定层。
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