[发明专利]一种用于半导体镀膜技术的销用开放式支板在审
申请号: | 202010669565.4 | 申请日: | 2020-07-13 |
公开(公告)号: | CN111785675A | 公开(公告)日: | 2020-10-16 |
发明(设计)人: | 李娟 | 申请(专利权)人: | 杭州很美网络科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 310051 浙江省杭州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 半导体 镀膜 技术 开放式 | ||
本发明公开了一种用于半导体镀膜技术的销用开放式支板,属于半导体镀膜技术领域,可以实现区别于传统的销支板与销之间的独立性,创新性的将销支板与销有机结合到一起,并引入可以自由变化长度的自变等高销,利用加热盘为基准面,在针对不同尺寸的晶片时,可以自动移动至合适的顶升位置,并且在移动过程中实时自主的调节高度,使得三个自变等高销位于同一高度上,并且在即将到达顶升位置时对高度进行锁死,以同一高度到达顶升位置,对晶片实现在整个工艺过程中无偏移、滑片等现象,确保晶片的传输顺畅,同时通过销支板本体和自变等高销以及现有加热盘的配合,即可实现针对不同尺寸晶片,可以自动调节高度弥补高度差,极大的提高半导体镀膜效率。
技术领域
本发明涉及半导体镀膜技术领域,更具体地说,涉及一种用于半导体镀膜技术的销用开放式支板。
背景技术
目前在半导体行业中经常需要在晶圆进行镀膜,在晶片上镀上一层镍/金或者镍/银,在后续的加工结束后通电可以实现起振,并输出规格频率满足用户需要,且镀膜的透过率高,损耗小。
现有的半导体镀膜设备,尤其是12英寸半导体镀膜设备中,销支板在整个工艺过程中,通过自身的升降来实现不同位置上的销的统一升降,从而实现传片过程中晶圆的升降。销一般是按圆周均匀分布的,数量一般为三个或多个不等。为保证晶圆在整个工艺过程中无偏移、滑片等现象,需要保证不同位置上的销的高度是一致的,即无论在任何状态下,销的提升和下降的速度是一样的。这就对销支板的要求提高了。需要销支板在任何状态下,位于不同位置的销所处的面的升降是一致的,并保证这些面始终处于同一平面上。考虑腔体的密封以及安装空间有限,销支板一般只设有一个升降支点。这又对销支板的强度要求提高了,不允许其在高温状态下有较大的变形存在。以保证各处销的高度不会有大的差异,从而确保晶圆的传输顺畅。同时,销支板其自身也不能太重,避免因重力作用导致变形。
根据半导体产业的需要,有些设备需同时具备生产不同尺寸晶圆的能力。对于不同的晶圆直径,顶升销的位置也有不同。业内现有做法是更换加热盘以适应相应的晶圆尺寸;同时更换顶升销的支板,以适应不同的晶圆顶升位置,而更换顶销支板又带来了安装调平等一系列工作量,无疑极大的降低了半导体镀膜效率。
发明内容
1.要解决的技术问题
针对现有技术中存在的问题,本发明的目的在于提供一种用于半导体镀膜技术的销用开放式支板,它可以实现区别于传统的销支板与销之间的独立性,创新性的将销支板与销有机结合到一起,并引入可以自由变化长度的自变等高销,利用加热盘为基准面,在针对不同尺寸的晶片时,可以自动移动至合适的顶升位置,并且在移动过程中实时自主的调节高度,使得三个自变等高销位于同一高度上,并且在即将到达顶升位置时对高度进行锁死,以同一高度到达顶升位置,对晶片实现在整个工艺过程中无偏移、滑片等现象,确保晶片的传输顺畅,同时通过销支板本体和自变等高销以及现有加热盘的配合,即可实现针对不同尺寸晶片,可以自动调节高度弥补高度差,极大的提高半导体镀膜效率。
2.技术方案
为解决上述问题,本发明采用如下的技术方案。
一种用于半导体镀膜技术的销用开放式支板,包括销支板本体,所述销支板本体靠近中心区域开设有销孔和多个装配孔,所述销支板本体边缘区域对称开设有调距槽,所述调距槽内滑动连接有自变等高销,所述自变等高销与调距槽侧壁之间连接有微型电动伸缩杆,所述自变等高销包括光滑顶球、中空过渡柱和滑行基座,所述中空过渡柱与滑行基座连接,且滑行基座与调距槽相匹配,所述光滑顶球外端连接有延伸至中空过渡柱内的连接杆,所述连接杆下端连接有稳定滑球,且稳定滑球与中空过渡柱之间间隙配合,所述稳定滑球与滑行基座之间连接有弹性伸缩杆。
进一步的,所述稳定滑球上水平镶嵌有双态电连棒,且双态电连棒贯穿稳定滑球并延伸至外侧,所述中空过渡柱内壁开设有两排均匀分布的散接槽,且散接槽与双态电连棒相匹配,通过双态电连棒与散接槽之间的连接配合实现对稳定滑球的定位,进而实现对自变等高销整体的高度锁死。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造