[发明专利]显示装置及其制备方法有效
申请号: | 202010668831.1 | 申请日: | 2020-07-13 |
公开(公告)号: | CN111863892B | 公开(公告)日: | 2022-08-23 |
发明(设计)人: | 卜呈浩 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09F9/30;G09G3/3225 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 王芳芳 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 及其 制备 方法 | ||
1.一种显示装置,其特征在于,包括:显示区以及围绕所述显示区的非显示区;所述显示区包括发光区以及围绕所述发光区的非发光区;
所述显示装置还包括:
底板,设有一凹槽;
显示面板,设于所述底板具有所述凹槽一侧的表面;以及
影像采集装置,设于所述底板的凹槽内;
其中,所述显示面板包括:
基层,其朝向所述底板的一侧具有厚度减薄区,所述厚度减薄区与所述凹槽相对设置且相互连通;
薄膜晶体管,设于所述基层远离所述底板一侧的表面;
绝缘层,设于所述基层远离所述底板一侧的表面,其设有透光孔,所述透光孔设于所述非发光区内,且与所述厚度减薄区相对设置;
所述显示面板包括2T1C电路结构,包括:开关薄膜晶体管,其栅极接入扫描信号,其源极接入数据信号;驱动薄膜晶体管,其栅极连接至所述开关薄膜晶体管的漏极,其源极接入VDD信号,其漏极接入VSS信号;以及一存储电容,其一端连接至所述驱动薄膜晶体管的栅极,其另一端连接至所述开关薄膜晶体管的漏极;
阻隔层,设于所述基层远离所述底板一侧的表面,所述开关薄膜晶体管设于所述阻隔层远离所述基层一侧的表面;以及
层间绝缘层,设于所述开关薄膜晶体管远离所述阻隔层一侧,所述驱动薄膜晶体管设于所述层间绝缘层远离所述开关薄膜晶体管一侧的表面;
所述开关薄膜晶体管包括:第一栅极层,设于所述阻隔层远离所述基层一侧的表面;第一栅极绝缘层,设于所述第一栅极层以及所述阻隔层远离所述基层一侧的表面;第一沟道层,设于所述第一栅极绝缘层远离所述第一栅极层一侧的表面,且与所述第一栅极层相对设置;以及第一源漏极层,设于所述第一沟道层和/或所述第一栅极绝缘层远离所述阻隔层一侧的表面;
所述驱动薄膜晶体管包括:第二栅极层,设于所述层间绝缘层远离所述开关薄膜晶体管一侧的表面,且穿过所述层间绝缘层,搭接至所述开关薄膜晶体管的第一源漏极层;第二栅极绝缘层,设于所述第二栅极层以及所述层间绝缘层远离所述阻隔层一侧的表面;以及第二源漏极层,设于所述第二栅极绝缘层远离所述层间绝缘层一侧的表面;
所述显示面板还包括:支撑层,设于所述第二栅极绝缘层远离所述层间绝缘层一侧的表面;像素定义层,设于所述支撑层远离所述第二栅极绝缘层一侧的表面;以及发光器件,贯穿所述像素定义层;所述发光器件集成于所述驱动薄膜晶体管内。
2.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,
所述驱动薄膜晶体管为垂直沟道的薄膜晶体管。
3.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述第二源漏极层包括:
第二源极层,贯穿所述支撑层、所述第二栅极绝缘层以及所述层间绝缘层,电连接至所述第一源漏极层;以及
第二漏极层,设于所述发光器件远离所述支撑层一侧的表面,且与所述发光器件的顶面面积相同。
4.一种显示装置的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供一具有一凹槽的底板;
制备出显示面板,包括:在一基层上制备出薄膜晶体管以及绝缘层,在所述基层的下表面挖出厚度减薄区;在所述绝缘层上开孔,形成透光孔,所述透光孔与影像采集装置相对设置;在所述基层的上表面制备出开关薄膜晶体管以及驱动薄膜晶体管;将发光器件集成至所述驱动薄膜晶体管内;
安装影像采集装置,包括:将一影像采集装置放置于所述凹槽与所述厚度减薄区所围成的空腔内,组装所述影像采集装置、所述底板以及所述显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的