[发明专利]一种解决7度角注入工艺中硅衬底起皮缺陷的方法在审
申请号: | 202010605175.0 | 申请日: | 2020-06-29 |
公开(公告)号: | CN111755326A | 公开(公告)日: | 2020-10-09 |
发明(设计)人: | 李林;曾坤;信会菊;郎刚平;陈宝忠 | 申请(专利权)人: | 西安微电子技术研究所 |
主分类号: | H01L21/265 | 分类号: | H01L21/265;H01L21/266 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 李红霖 |
地址: | 710065 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 解决 注入 工艺 衬底 缺陷 方法 | ||
1.一种解决7度角注入工艺中硅衬底起皮缺陷的方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤1,先在待注入的硅衬底表面涂覆一层I线正性光刻胶膜,得到涂有光刻胶膜的硅衬底,之后对涂有光刻胶膜的硅衬底进行曝光,将具有图形的掩膜板上的图形转移至所述的光刻胶膜内,最后去除曝光区域的光刻胶膜,在硅衬底上形成使用光刻胶膜作掩蔽的注入图形;
步骤2,对步骤1得到的硅衬底的下表面和上表面分别进行加热,以及紫外光辐射,完成7度角注入工艺前的固胶工序;
步骤3,对步骤2完成固胶工序的硅衬底进行7度角注入。
2.根据权利要求1所述的解决7度角注入工艺中硅衬底起皮缺陷的方法,其特征在于,步骤1中,I线正性光刻胶膜的厚度为1~4微米。
3.根据权利要求1所述的解决7度角注入工艺中硅衬底起皮缺陷的方法,其特征在于,步骤2中,将步骤1得到的硅衬底放置在加热板上进行加热。
4.根据权利要求3所述的解决7度角注入工艺中硅衬底起皮缺陷的方法,其特征在于,所述的硅衬底的加热温度为140~160度。
5.根据权利要求1所述的解决7度角注入工艺中硅衬底起皮缺陷的方法,其特征在于,步骤2中,步骤1得到的硅衬底在80~100毫焦每秒的辐射能量下进行紫外光辐射。
6.根据权利要求1所述的解决7度角注入工艺中硅衬底起皮缺陷的方法,其特征在于,步骤2中,步骤1得到的硅衬底固胶工序的时间为1~2分钟。
7.根据权利要求1所述的解决7度角注入工艺中硅衬底起皮缺陷的方法,其特征在于,步骤2通过使光刻胶先分解再聚合进行固胶处理。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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