[发明专利]一种解决7度角注入工艺中硅衬底起皮缺陷的方法在审

专利信息
申请号: 202010605175.0 申请日: 2020-06-29
公开(公告)号: CN111755326A 公开(公告)日: 2020-10-09
发明(设计)人: 李林;曾坤;信会菊;郎刚平;陈宝忠 申请(专利权)人: 西安微电子技术研究所
主分类号: H01L21/265 分类号: H01L21/265;H01L21/266
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 李红霖
地址: 710065 陕西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 解决 注入 工艺 衬底 缺陷 方法
【权利要求书】:

1.一种解决7度角注入工艺中硅衬底起皮缺陷的方法,其特征在于,包括如下步骤:

步骤1,先在待注入的硅衬底表面涂覆一层I线正性光刻胶膜,得到涂有光刻胶膜的硅衬底,之后对涂有光刻胶膜的硅衬底进行曝光,将具有图形的掩膜板上的图形转移至所述的光刻胶膜内,最后去除曝光区域的光刻胶膜,在硅衬底上形成使用光刻胶膜作掩蔽的注入图形;

步骤2,对步骤1得到的硅衬底的下表面和上表面分别进行加热,以及紫外光辐射,完成7度角注入工艺前的固胶工序;

步骤3,对步骤2完成固胶工序的硅衬底进行7度角注入。

2.根据权利要求1所述的解决7度角注入工艺中硅衬底起皮缺陷的方法,其特征在于,步骤1中,I线正性光刻胶膜的厚度为1~4微米。

3.根据权利要求1所述的解决7度角注入工艺中硅衬底起皮缺陷的方法,其特征在于,步骤2中,将步骤1得到的硅衬底放置在加热板上进行加热。

4.根据权利要求3所述的解决7度角注入工艺中硅衬底起皮缺陷的方法,其特征在于,所述的硅衬底的加热温度为140~160度。

5.根据权利要求1所述的解决7度角注入工艺中硅衬底起皮缺陷的方法,其特征在于,步骤2中,步骤1得到的硅衬底在80~100毫焦每秒的辐射能量下进行紫外光辐射。

6.根据权利要求1所述的解决7度角注入工艺中硅衬底起皮缺陷的方法,其特征在于,步骤2中,步骤1得到的硅衬底固胶工序的时间为1~2分钟。

7.根据权利要求1所述的解决7度角注入工艺中硅衬底起皮缺陷的方法,其特征在于,步骤2通过使光刻胶先分解再聚合进行固胶处理。

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