[发明专利]一种功率半导体器件及其制作方法

权利要求书

1.一种功率半导体器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1：在半导体衬底中形成若干沟槽，所述沟槽中形成有屏蔽栅多晶硅层，以及位于所述屏蔽栅多晶硅层外侧的栅极多晶硅层，所述屏蔽栅多晶硅层和栅极多晶硅层之间通过一氧化层隔离；

步骤S2：在所述沟槽外侧的半导体衬底中执行第一类型离子轻掺杂工艺，以形成第一类型离子轻掺杂区域，所述第一类型离子轻掺杂区域距离所述半导体衬底的表面的距离为a；

步骤S3：在所述沟槽外侧的半导体衬底中执行第一类型离子重掺杂工艺，以形成第一类型离子重掺杂区域，所述第一类型离子重掺杂区域位于第一类型离子轻掺杂区域的下方，所述第一类型离子重掺杂区域距离所述半导体衬底的表面的距离为b；

步骤S4：在所述沟槽外侧的半导体衬底的表面执行第二类型离子重掺杂工艺，以形成第二类型离子重掺杂区域，所述第二类型离子重掺杂区域位于所述第一类型离子重掺杂区域的上方，所述第二类型离子重掺杂区域与所述第一类型离子重掺杂区域通过所述第一类型离子轻掺杂区域连接，以形成源极，从而形成SGT MOSFET，最终形成功率半导体器件。

2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，步骤S2具体包括以下步骤：

在所述半导体衬底上形成图形化的掩膜层，所述图形化的掩膜层暴露出形成第一类型离子轻掺杂区域的半导体衬底，所述第一类型离子轻掺杂区域位于所述沟槽的外侧；

以所述图形化的掩膜层为掩膜，在所述半导体衬底中执行第一类型离子轻掺杂工艺，以形成第一类型离子轻掺杂区域。

3.如权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述第一类型离子轻掺杂工艺包括P型离子轻掺杂工艺。

4.如权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述第一类型离子轻掺杂的能量为50Kev～80Kev，剂量为1E12 cm-2～1E13cm-2，所述第一类型离子轻掺杂工艺在离子注入时的入射角度为与所述半导体衬底的表面的垂直线的夹角呈0°。

5.如权利要求2所述的制作方法，其特征在于，步骤S3具体包括：

以所述图形化的掩膜层为掩膜，在所述半导体衬底中执行第一类型离子重掺杂工艺，以形成第一类型离子重掺杂区域。

6.如权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述第一类型离子轻掺杂区域距离所述半导体衬底的表面的距离为2000埃～3000埃；所述第一类型离子重掺杂区域距离所述半导体衬底的表面的距离为3000埃～8000埃。

7.如权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述第一类型离子重掺杂的能量为100Kev～200Kev，剂量为1E13 cm-2～1E14cm-2，所述第一类型离子重掺杂工艺在离子注入时的入射角度为与所述半导体衬底的表面的垂直线的夹角呈0°。

8.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，第二类型离子重掺杂工艺包括N型离子重掺杂工艺。

9.如权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述第二类型离子重掺杂的能量为50Kev～80Kev，剂量为1E15 cm-2～1E16cm-2，所述第二类型离子重掺杂工艺在离子注入时的入射角度为与所述半导体衬底的表面的垂直线的夹角呈0°。

10.一种功率半导体器件，其特征在于，如权利要求1～9中任一项所述功率半导体器件的制作方法制备而成。