[发明专利]用于半导体装置的制造设备在审

专利信息
申请号: 202010596996.2 申请日: 2020-06-28
公开(公告)号: CN112138905A 公开(公告)日: 2020-12-29
发明(设计)人: 吴炅桓;姜景元;姜现准;李柱奉;张星勋;许硕;黄铉雄 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: B05B13/04 分类号: B05B13/04;B05B13/02;B05B12/00;B05B12/12;B05B15/68;H01L21/67
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 赵南;张帆
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 半导体 装置 制造 设备
【权利要求书】:

1.一种用于半导体装置的制造设备,所述制造设备包括:

旋转卡盘,其被配置为固定并旋转晶圆;

喷嘴,其被配置为朝向所述晶圆喷洒化学试剂;

横向位移传感器,其被配置为在所述旋转卡盘正被旋转的同时测量到所述晶圆的侧表面的位移变化;以及

控制器,其被配置为在所述旋转卡盘正被旋转的同时通过使用所述位移变化来控制所述喷嘴的位置。

2.根据权利要求1所述的制造设备,其中,所述横向位移传感器包括激光位移传感器。

3.根据权利要求1所述的制造设备,其中,所述横向位移传感器被配置为测量到预定测量区域的所述位移变化,所述预定测量区域是所述晶圆的侧表面的一部分。

4.根据权利要求3所述的制造设备,其中,当所述预定测量区域随着所述晶圆被旋转而位于在所述喷嘴下方时,所述控制器被配置为使所述喷嘴的位置移动与所述位移变化一样多。

5.根据权利要求所1述的制造设备,其中,所述控制器被配置为获知相对于时间的所述位移变化,并且通过使用所获知的位移变化来控制所述喷嘴相对于所述时间的位置。

6.根据权利要求5所述的制造设备,其中,所述控制器被配置为在多个周期期间测量所述位移变化,以使关于各个周期的位移变化平均化,并且获知相对于所述时间的所述位移变化。

7.根据权利要求1所述的制造设备,其中:

所述旋转卡盘包括磁悬浮主轴电机,并且

所述控制器被配置为通过控制所述磁悬浮主轴电机来控制所述晶圆的位置。

8.根据权利要求7所述的制造设备,其中,所述控制器被配置为通过使用所述位移变化来使所述晶圆的旋转轴和所述晶圆的中心轴彼此一致。

9.根据权利要求1所述的制造设备,其中:

所述横向位移传感器被配置为在所述晶圆正被旋转的同时还测量所述晶圆的侧表面的高度变化,并且

所述控制器被配置为通过使用所述位移变化和所述高度变化来控制所述喷嘴的位置。

10.一种用于半导体装置的制造设备,所述制造设备包括:

旋转卡盘,其被配置为固定并旋转晶圆;

喷嘴,其被配置为朝向所述晶圆喷洒化学试剂;

机械臂,其被配置为固定所述喷嘴,并且相对于所述晶圆的顶表面在水平方向和竖直方向上驱动;以及

横向位移传感器,其被配置为在所述旋转卡盘正被旋转的同时测量到所述晶圆的侧表面的位移变化和到所述晶圆的侧表面的高度变化,

其中,所述机械臂被配置为控制所述喷嘴的位置,以与由所述横向位移传感器测量的所述位移变化和所述高度变化对应。

11.根据权利要求10所述的制造设备,其中,所述喷嘴移动,从而在包括所述水平方向和所述竖直方向的平面上绘制利萨茹曲线。

12.根据权利要求10所述的制造设备,其中,所述机械臂被配置为控制所述喷嘴的位置,以便于所述喷嘴朝向所述晶圆的边缘喷洒所述化学试剂。

13.根据权利要求12所述的制造设备,其中:

所述晶圆包括涂覆在其顶表面上的涂覆膜,并且

所述机械臂被配置为控制所述喷嘴的位置,以便于所述喷嘴去除所述涂覆膜的边珠。

14.根据权利要求12所述的制造设备,其中:

所述晶圆包括涂覆在其后表面上的涂覆膜,并且

所述机械臂被配置为控制所述喷嘴的位置,以便于所述喷嘴朝向所述晶圆的后表面喷洒所述化学试剂。

15.根据权利要求12所述的制造设备,其中,所述化学试剂包括漂洗液。

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