[发明专利]具有气隙结构的半导体元件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体元件，包括：

一第一位元线，设置于一半导体基板之上；以及

一电容接触和一介电结构，设置于该半导体基板之上且邻近该第一位元线，其中该电容接触、该介电结构和该第一位元线通过一气隙结构与彼此分离。

2.如权利要求1所述的半导体元件，还包括：

一第二位元线，与该第一位元线平行地设置并邻近该第一位元线，其中该电容接触和该介电结构位于该第一位元线和该第二位元线之间。

3.如权利要求2所述的半导体元件，其中该电容接触和该介电结构通过该气隙结构与该第二位元线分离。

4.如权利要求1所述的半导体元件，其中该介电结构是由一低介电常数介电材料组成。

5.如权利要求1所述的半导体元件，其中该介电结构的一顶表面与该电容接触的一顶表面共平面。

6.如权利要求1所述的半导体元件，还包括：

一介电层，设置于该第一位元线、该电容接触和该介电结构之上，其中该介电层的一部分延伸至该气隙结构中。

7.如权利要求6所述的半导体元件，其中该介电层的该部分具有指向该半导体基板的一尖端。

8.一种半导体元件，包括：

一第一位元线和一第二位元线，设置于一半导体基板之上；

一第一电容接触和一第二电容接触，设置于该第一位元线和该第二位元线之间，其中该第一电容接触和该第二电容接触被一气隙结构包围；以及

一介电结构，设置于该第一电容接触和该第二电容接触之间，其中该介电结构通过该气隙结构与该第一位元线和该第二位元线分离。

9.如权利要求8所述的半导体元件，其中该第一电容接触的一顶表面高于该气隙结构的一顶表面。

10.如权利要求8所述的半导体元件，其中该介电结构的一顶表面高于该气隙结构的一顶表面。

11.如权利要求8所述的半导体元件，还包括：

一介电层，覆盖该第一电容接触、该介电结构和该气隙结构，其中该介电层直接接触该第一电容接触的一侧壁和该介电结构的一侧壁。

12.如权利要求11所述的半导体元件，还包括：

一导电通孔，设置于该第一电容接触之上并穿过该介电层；以及

一存储节点，设置于该导电通孔之上，其中该存储节点通过该导电通孔电性连接到该第一电容接触。

13.一种半导体元件的制备方法，包括：

形成一第一位元线、一第二位元线、一第一电容接触和一第二电容接触于一半导体基板之上，其中该第一电容接触和该第二电容接触设置于该第一位元线和该第二位元线之间；

形成一第一介电层于该第一位元线的一侧壁、该第二位元线的一侧壁、该第一电容接触的一侧壁和该第二电容接触的一侧壁之上，以形成被该第一介电层包围的一开口；

用一介电结构填充该开口；以及

移除该第一介电层以形成包围该介电结构的一开口结构。

14.如权利要求13所述的半导体元件的制备方法，其中该第一位元线的该侧壁面向该第二位元线的该侧壁，且该第一电容接触的该侧壁面向该第二电容接触的该侧壁。

15.如权利要求13所述的半导体元件的制备方法，其中在移除该第一介电层期间，该第一介电层相对该介电结构具有一高蚀刻选择性。

16.如权利要求13所述的半导体元件的制备方法，其中该介电结构的一顶表面高于或齐平于该第一位元线的一顶表面。