[发明专利]量子点发光二极管及其制作方法、显示面板、显示装置

权利要求书

1.一种量子点发光二极管，其特征在于，包括：

衬底基板；

依次位于所述衬底基板上的第一电极、第一电子传输层、第二电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层和第二电极，其中，所述第一电子传输层远离所述第一电极一侧的表面的粗糙度小于阈值，所述第二电子传输层由纳米粒子组成。

2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述第一电子传输层和所述第二电子传输层的材料选自：氧化锌、氧化铝锌和氧化镁锌。

3.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述阈值为3nm。

4.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述第一电子传输层的厚度为50-150nm，所述第二电子传输层的厚度为20-60nm。

5.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述第一电极采用ITO，第二电极采用金属。

6.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-5中任一项所述的量子点发光二极管。

7.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-5中任一项所述的量子点发光二极管。

8.一种量子点发光二极管的制作方法，其特征在于，包括：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板上依次形成第一电极、第一电子传输层、第二电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层和第二电极，其中，所述第一电子传输层远离所述第一电极一侧的表面的粗糙度小于阈值，所述第二电子传输层由纳米粒子组成。

9.根据权利要求8所述的量子点发光二极管的制作方法，其特征在于，采用溶胶-凝胶法、溅射成膜法或气相沉积法制备所述第一电子传输层；

利用纳米粒子溶液采用旋涂成膜法制备所述第二电子传输层。

10.根据权利要求9所述的量子点发光二极管的制作方法，其特征在于，制备所述第一电子传输层的溶胶的浓度为50mg/ml-150mg/ml。