[发明专利]存储器元件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造存储器元件的方法，其特征在于，包括：

在周边区的介电层的第一叠层、阶梯区以及存储器阵列区的第一阶中的多个存储单元上形成介电层的中间叠层；

刻蚀所述阶梯区和所述存储器阵列区中的所述介电层的中间叠层的一个或多个介电层；

在所述周边区、所述阶梯区和所述存储器阵列区中在经刻蚀的所述介电层的中间叠层上沉积接着垫层；

平坦化所述接着垫层以暴露所述介电层的中间叠层的顶面，由此经平坦化的所述接着垫层形成中央接着垫；

形成介电层的第二叠层；以及

刻蚀穿过所述介电层的第二叠层、所述介电层的中间叠层和所述介电层的第一叠层，以在所述阶梯区中形成阶梯，

其中所述介电层的第二叠层、所述介电层的中间叠层和所述介电层的第一叠层的介电层包括不同组成的交替层。

2.如权利要求1所述的制造存储器元件的方法，还包括：

以介电材料填充所述阶梯上的凹陷；

向下穿过所述存储器阵列区的第二阶中的所述介电层的第二叠层和所述中央接着垫刻蚀出多个存储单元孔，所述多个存储单元孔实质上与所述存储器阵列区的所述第一阶中的存储单元孔对准；

在所述存储器阵列区的所述第二阶中制造多个存储单元；

刻蚀出延伸穿过所述存储器阵列区的所述第二阶和所述第一阶的多个狭缝沟道；

通过刻蚀出的所述多个狭缝沟道，从所述存储器阵列区和所述阶梯区中的所述介电层的第一叠层、所述介电层的中间叠层和所述介电层的第二叠层中移除一种类型的介电层；

在由经移除的所述一种类型的介电层而留下的空间中形成多个栅极层；以及

将导电材料沉积到所述多个狭缝沟道，以在所述存储器阵列区中形成导电狭缝。

3.如权利要求2所述的制造存储器元件的方法，其中形成所述多个栅极层包括：

穿过所述狭缝沟道的侧壁，从所述存储器阵列区和所述阶梯区中的所述介电层的第一叠层、所述介电层的中间叠层和所述介电层的第二叠层选择性地刻蚀所述一种类型的介电层；以及

将栅极材料填充到由经刻蚀的所述一种类型的介电层产生的所述空间中，以形成所述多个栅极层，其中所述多个栅极层作为字线。

4.如权利要求2所述的制造存储器元件的方法，其中制造所述多个存储单元包括：

刻蚀穿过所述介电层的第二叠层和位于所述介电层的第二叠层下方的所述中央接着垫，从而形成向下的所述存储单元孔；

在所述存储单元孔的内部侧壁上形成电极间介电质；

在所述电极间介电质内沉积导电通道；以及

在每个所述存储单元孔的中心沉积介电杆。

5.如权利要求1所述的制造存储器元件的方法，其中在所述阶梯的形成期间，所述中央接着垫保持水平地嵌入在所述介电层的中间叠层中，且

其中刻蚀穿过所述介电层的第二叠层、所述介电层的中间叠层和所述介电层的第一叠层以形成所述阶梯包括重复执行以下步骤：

在位于所述阶梯区上方的图案化光刻胶上，进行二维修整或最小增量层成本修整中的至少一个；以及

沿经修整的所述光刻胶进行定向刻蚀穿过直到所述阶梯区中的所述介电层的第二叠层、所述介电层的中间叠层和所述介电层的第一叠层。

6.一种存储器元件，其特征在于，包括：

存储器阵列区，包括垂直排列的多个阶，所述多个阶的每个阶包括：

多个存储单元；以及

分别耦接到所述多个存储单元的多个字线；

中央接着垫，位于所述多个阶的两个相邻阶之间；

阶梯区，包括：

阶梯，其中所述阶梯位于所述中央接着垫的一端附近，且其中所述阶梯的台阶形成在所述中央接着垫的厚度内；以及

多个导电柱，与所述阶梯连接；以及

周边区，包括介电层的多个叠层以及下向穿过所述介电层的多个叠层的通孔接点。

7.如权利要求6所述的存储器元件，还包括位于所述存储器阵列区下方或邻近所述存储器阵列区的电路，且其中所述电路设置为控制所述存储器元件的操作。