[发明专利]多孔基质过滤器及其制作方法在审
| 申请号: | 202010449411.4 | 申请日: | 2016-02-13 |
| 公开(公告)号: | CN111593324A | 公开(公告)日: | 2020-08-28 |
| 发明(设计)人: | B·C·亨德里克斯;D·W·彼得斯;李卫民;C·瓦尔德弗里德;R·A·库克;N·困达;林奕宽 | 申请(专利权)人: | 恩特格里斯公司 |
| 主分类号: | C23C16/40 | 分类号: | C23C16/40;C23C16/455;B01D46/00;B01D46/54 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 李婷 |
| 地址: | 美国马*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 多孔 基质 过滤器 及其 制作方法 | ||
本申请描述了一种多孔基质过滤器及其制作方法。在各种应用中,衬底包含金属表面,所述金属表面易于在其上形成此金属的氧化物、氮化物、氟化物或氯化物,其中所述金属表面经配置以在使用中与气体、固体或液体接触,所述气体、固体或液体与所述金属表面进行反应以形成对所述衬底制品、结构、材料或设备有害的反应产物。所述金属表面涂覆有保护涂层,所述保护涂层防止所述经涂覆表面与所述反应性气体进行反应及/或以其它方式改进所述衬底制品或设备的电性质、化学性质、热性质或结构性质。描述涂覆所述金属表面及用于选择所利用的涂层材料的各种方法。
分案申请的相关信息
本申请是申请日为2016年2月13日、申请号为“201680018518.5”、发明名称为“用于增强衬底制品及装置的性质及性能的涂层”的发明专利申请的分案申请。
此申请案根据35 U.S.C.§119的条款主张以下美国临时专利申请案的权益:2015年2月13日以卡洛·沃德弗列德(Carlo Waldfried)等人的名义且以“薄膜原子层沉积涂层(THIN FILM ATOMIC LAYER DEPOSITION COATINGS)”提出申请的美国临时专利申请案第62/116,181号;2015年5月28日以布莱恩C.亨德里克斯(Bryan C.Hendrix)等人的名义且以“用以防止由AL2CL6蒸汽输送痕量金属的涂层(COATINGS TO PREVENT TRANSPORT OFTRACE METALS BY AL2CL6 VAPOR)”提出申请的美国临时专利申请案第62/167,890号;2015年7月2日以布莱恩C.亨德里克斯等人的名义且以“用于增强衬底制品及装置的性质及性能的涂层(COATINGS FOR ENHANCEMENT OF PROPERTIES AND PERFORMANCE OF SUBSTRATEARTICLES AND APPARATUS)”提出申请的美国临时专利申请案第62/188,333号;及2015年9月21日以布莱恩C.亨德里克斯等人的名义且以“用于增强衬底制品及装置的性质及性能的涂层(COATINGS FOR ENHANCEMENT OF PROPERTIES AND PERFORMANCE OF SUBSTRATEARTICLES AND APPARATUS)”提出申请的美国临时专利申请案第62/221,594号。此类美国临时专利申请案第62/116,181号、第62/167,890号、第62/188,333号及第62/221,594号的揭示内容据此出于所有目的以其相应全文引用的方式并入本文中。
技术领域
本发明一般来说涉及适用于多种衬底制品及设备(例如,关于具有易于在其上形成不期望氧化物、氮化物、氟化物、氯化物或其它卤化物污染物物种的表面的结构及装置)的涂层。在特定方面中,本发明涉及半导体制造设备及增强其性能的方法,且更具体来说涉及易于受与六氯化二铝蒸汽在此设备中的存在相关联的污染及粒子沉积的半导体制造设备,并且涉及用于对抗此不利污染及粒子沉积的组合物及方法。
背景技术
在许多研究领域中,会遇到包含易于形成污染物物种的表面(例如易于在其上形成干扰相关联产品、设备或材料的使用、效用或功能的不期望氧化物、氮化物及卤化物(例如,氟化物及/或氯化物)污染物种类的铝、阳极化铝、石英、不锈钢等表面)的结构、材料及装置。
在半导体制造的领域中,广泛采用铝及含铝材料。虽然铝作为金属化材料已在纳米级集成电路应用中显著被铜取代,但铝仍继续被广泛地用作线接合及连接材料,以及用于薄膜材料(例如,AlN薄膜)中作为势垒层、压电器件组件、冷阴极材料等,以及用于化合物半导体组合物(其用于例如LED及其它光电子器件等应用)或Al2O3层中作为电介质、电介质掺杂剂、势垒、光学涂层等。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





