[发明专利]具有可激光活化模制化合物的半导体封装

权利要求书

1.一种模制封装，包括：

可激光活化模制化合物，所述可激光活化模制化合物具有多个激光活化区，所述多个激光活化区镀覆有导电材料，以在所述可激光活化模制化合物的第一侧处形成金属焊盘和/或金属迹线；

半导体管芯，所述半导体管芯嵌入所述可激光活化模制化合物中，并且具有多个管芯焊盘；以及

互连，所述互连将所述半导体管芯的所述多个管芯焊盘电连接到所述可激光活化模制化合物的所述第一侧处的所述金属焊盘和/或金属迹线。

2.根据权利要求1所述的模制封装，其中，所述可激光活化模制化合物是单层模制化合物。

3.根据权利要求2所述的模制封装，其中，所述互连包括多个线螺柱凸块或金属柱或垂直键合引线，所述多个线螺柱凸块或金属柱或垂直键线在第一端部处附接到所述半导体管芯的所述多个管芯焊盘，并且在与所述第一端部相对的第二端部处附接到所述可激光活化模制化合物的所述第一侧处的所述金属焊盘和/或金属迹线。

4.根据权利要求1所述的模制封装，其中，所述可激光活化模制化合物是多层模制化合物。

5.根据权利要求4所述的模制封装，其中，所述互连包括多个线螺柱凸块或金属柱或垂直键合线，所述多个线螺柱凸块或金属柱或垂直键合线在第一端部处附接到所述半导体管芯的所述多个管芯焊盘，并且在与所述第一端部相对的第二端部处附接到所述可激光活化模制化合物的第一层的第一层金属结构，其中，所述可激光活化模制化合物的所述第一层具有多个激光活化区，所述多个激光活化区镀覆有导电材料，以形成所述第一层金属结构。

6.根据权利要求5所述的模制封装，还包括所述可激光活化模制化合物的第二层，其中，所述可激光活化模制化合物的所述第二层具有多个激光活化区，所述多个激光活化区镀覆有导电材料，以形成所述可激光活化模制化合物的所述第二层的第二层金属结构，其中，所述可激光活化模制化合物的所述第一层的所述第一层金属结构电连接到所述可激光活化模制化合物的所述第二层的所述第二层金属结构。

7.根据前述权利要求的任一项所述的模制封装，其中，所述多个管芯焊盘设置在所述半导体管芯的第一侧处，其中，所述半导体管芯的与所述第一侧相对的第二侧未被所述可激光活化模制化合物覆盖，并且其中，所述模制封装还包括覆盖所述半导体管芯的所述第二侧的顶部密封或覆盖所述半导体管芯的所述第二侧的热沉金属板。

8.根据前述权利要求的任一项所述的模制封装，其中，所述半导体管芯包括功率晶体管、RF前端电路、逻辑器件，或者所述半导体管芯是控制器。

9.根据前述权利要求的任一项所述的模制封装，其中，所述可激光活化模制化合物的所述第一侧处的所述金属焊盘的第一个通过所述互连电连接到所述半导体管芯的所述管芯焊盘的第一个，并且其中，在所述第一管芯焊盘的覆盖区到所述可激光活化模制化合物的所述第一侧的垂直投影中，所述第一金属焊盘位于所述第一管芯焊盘的所述覆盖区外部。

10.根据权利要求8所述的模制封装，其中，所述第一金属焊盘连接到所述可激光活化模制化合物的所述第一侧处的所述金属迹线的第一个，并且其中，在所述垂直投影中，所述第一金属迹线位于所述第一管芯焊盘的所述覆盖区内部，并且与所述第一管芯焊盘垂直对准。