[发明专利]一种平坦化方法、半导体器件及其制作方法

说明书

本发明公开一种平坦化方法、半导体器件及其制作方法，涉及半导体技术领域，以解决在去除蒸镀栅电极材料产生的晶界时，出现高度差异的问题。所述平坦化方法包括：提供一衬底；在衬底上形成材料层；对材料层进行改性，使得改性后材料层的表面粗糙度小于改性前材料层的表面粗糙度；去除材料层的上部，使得材料层平坦化。本发明提供的平坦化方法用于形成半导体器件。所述半导体器件的制作方法用于制作半导体器件。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种平坦化方法、半导体器件及其制作方法。

背景技术

动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，缩写为DRAM)通过利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特(bit)是1还是0。DRAM的结构简单，每一个比特的数据都只需一个电容跟一个晶体管处理。同时DRAM密度高，单位体积的容量较高因此成本较低。

随着半导体存储元件变得高度集成，在制作DRAM的时候，需要蒸镀材料已形成需要的结构。例如：在形成栅电极的过程中，需要蒸镀栅电极材料(例如钨)。但是由于蒸镀栅电极材料的过程中比较容易产生晶界，导致对栅电极材料进行平坦化处理后，平坦化的栅电极材料仍然会出现高度差异，在进行后续制作工艺时会影响存储器件的性能。

发明内容

本发明的目的在于提供一种平坦化方法、半导体器件及其制作方法，用于避免在形成蒸镀栅电极材料时产生的高度差异。

为了实现上述目的，本发明提供一种平坦化方法。该平坦化方法包括：

提供一衬底；

在衬底上形成材料层；

对材料层进行改性，使得改性后材料层的表面粗糙度小于改性前材料层的表面粗糙度；

去除材料层的上部，使得材料层平坦化。

与现有技术相比，本发明提供的平坦化方法中，将形成在衬底上的材料层进行改性，使得改性后材料层的表面粗糙度小于改性前材料层的表面粗糙度，并且对材料层的改性的深度一致。在此基础上，对衬底进行平坦化处理时，可以很方便的去除材料层的上部材料。在去除材料层的上部的同时，可以保证材料层的下部平坦化，且平坦化后的表面水平度比较好。由此可见，本发明提供的平坦化方法应用于蒸镀的栅电极材料的平坦化时，可以保证对栅电极材料进行平坦化后，降低因为晶界所产生的表面高度差异，进而保证高存储器件的性能。

本发明还提供一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底以及栅电极，栅电极采用上述平坦化方法形成的平坦化层形成。

与现有技术相比，本发明提供的半导体器件的有益效果与上述技术方案所述的平坦化方法的有益效果相同，此处不做赘述。

本发明还提供一种半导体器件的制作方法。该半导体器件的制作方法包括：

提供一衬底；

在衬底上形成导电材料层；

采用上述平坦化方法对导电材料层进行平坦化，在衬底上形成平坦化层；

对平坦化层进行处理，获得形成在衬底上的栅电极。

与现有技术相比，本发明提供的半导体器件的制作方法的有益效果与上述技术方案所述的平坦化方法的有益效果相同，此处不做赘述。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1示出了一种现有技术中平坦化方法后形成的结构示意图；

图2示出了本发明实施例提供的平坦化方法后形成的结构示意图；