[发明专利]显示面板及其制备方法在审
申请号: | 202010423139.2 | 申请日: | 2020-05-19 |
公开(公告)号: | CN111627961A | 公开(公告)日: | 2020-09-04 |
发明(设计)人: | 卢马才;刘念 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77;B81B7/02 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 刁文魁 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制备 方法 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括:
基板;
多个显示元件,设置于所述基板上,且相邻所述显示元件之间的区域形成有振动开口;
底部电极,位于所述基板与所述振动开口之间;
顶部电极,位于所述振动开口上方,其中,在所述底部电极与所述顶部电极的共同作用下,所述振动开口中的空气发生振动以进行发声。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括封装层,所述封装层覆盖多个所述显示元件与所述顶部电极,且所述振动开口与所述封装层围成封闭的振动腔。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括发光层,所述发光层设置于所述显示元件与所述封装层之间;
其中,所述发光层包括多个有机发光器件,所述有机发光器件设置于所述显示元件上。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述顶部电极与所述底部电极的材料包括铝钼合金、铜钼合金以及铟锡氧化物的一种或多种组合。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,多个所述显示元件包括层叠设置层间介质层与钝化层,以及镶嵌于所述层间介质层中的薄膜晶体管,相邻所述薄膜晶体管之间的钝化层上形成有所述振动开口。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述振动开口的深度与所述钝化层的厚度相同。
7.一种显示面板的制备方法,其特征在于,所述方法包括:
提供基板;
在所述基板上形成多个显示元件、以及多个底部电极,所述底部电极设置于相邻所述显示元件之间的区域;
在相邻所述显示元件之间的区域依次形成牺牲层和电极材料层,并对所述电极材料层进行图案化,形成顶部电极;
对形成有所述电极材料层的所述显示面板进行刻蚀,以剥离所述牺牲层对应的所述显示元件的区域,形成振动开口。
8.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,多个所述显示元件包括层叠设置层间介质层与钝化层,以及镶嵌于所述层间介质层中的薄膜晶体管,所述在所述基板上形成多个显示元件、以及多个底部电极,具体包括:
在所述基板上形成多个薄膜晶体管的栅极,并在每个所述栅极的一侧形成对应的所述底部电极,所述栅极与所述底部电极同层设置;
在形成有所述底部电极和所述栅极的显示面板上形成层间介质层;
在所述层间介质层上形成钝化层,以形成多个所述显示元件。
9.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,所述在相邻所述显示元件之间的区域依次形成牺牲层和电极材料层,并对所述电极材料层进行图案化,形成顶部电极,具体包括:
在相邻所述显示元件之间的区域形成牺牲层;
在所述牺牲层上形成电极材料层;
在所述电极材料层上形成光刻胶,所述光刻胶呈图案化;
对形成有光刻胶的电极材料层进行光刻,以剥离所述光刻胶对应的电极材料层,形成顶部电极。
10.根据权利要求8所述的制备方法,其特征在于,在形成振动开口之后,还包括:
在形成有所述振动开口的显示面板上形成发光层,所述发光层包括多个有机发光器件,所述有机发光器件设置于所述显示元件上;
在形成有所述发光层的显示面板上蒸镀薄膜封装层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电半导体显示技术有限公司,未经深圳市华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010423139.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的