[发明专利]电磁屏蔽结构、电磁屏蔽结构制作方法和电子产品在审
申请号: | 202010417736.4 | 申请日: | 2020-05-18 |
公开(公告)号: | CN111554675A | 公开(公告)日: | 2020-08-18 |
发明(设计)人: | 王顺波 | 申请(专利权)人: | 甬矽电子(宁波)股份有限公司 |
主分类号: | H01L25/18 | 分类号: | H01L25/18;H01L21/56;H01L23/31;H01L23/552 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 徐彦圣 |
地址: | 315400 浙江省宁*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电磁 屏蔽 结构 制作方法 电子产品 | ||
1.一种电磁屏蔽结构,其特征在于,包括:
基板;
形成于所述基板上并沿垂直所述基板的方向延伸的槽状屏蔽结构;
设置于所述槽状屏蔽结构两侧的至少两个芯片;
覆盖于所述至少两个芯片上的塑封体;
设置于所述塑封体远离基板一侧、且包围所述塑封体周侧的屏蔽层;
所述槽状屏蔽结构贯穿于所述塑封体以及所述基板,所述屏蔽层通过所述槽状屏蔽结构与接地端电性连接,以使所述槽状屏蔽结构在所述至少两个芯片之间形成电磁屏蔽。
2.根据权利要求1所述的电磁屏蔽结构,其特征在于,所述芯片的接地参考点通过打线与所述槽状屏蔽结构电性连接,以通过所述槽状屏蔽结构与所述接地端连接。
3.根据权利要求1所述的电磁屏蔽结构,其特征在于,所述电磁屏蔽结构还包括至少一个接地点,所述接地点设置于所述槽状屏蔽结构朝向所述芯片的一侧,并与所述槽状屏蔽结构电性连接;
所述芯片的接地参考点通过打线与所述接地点电性连接,以通过所述接地点与所述槽状屏蔽结构电性连接,并通过所述槽状屏蔽结构与所述接地端连接。
4.根据权利要求1所述的电磁屏蔽结构,其特征在于,所述槽状屏蔽结构包括导电层以及应力缓冲材料;
所述导电层为具有容置空间的槽状结构,所述屏蔽层通过所述导电层与所述接地端电性连接;
所述应力缓冲材料填充于所述容置空间,所述应力缓冲材料的热膨胀系数小于或等于所述电磁屏蔽结构的热膨胀系数。
5.一种电磁屏蔽结构制作方法,其特征在于,所述方法包括:
提供一基板,在所述基板上形成槽状屏蔽结构;
在所述槽状屏蔽结构的两侧分别贴装至少两个芯片;
通过塑封体对所述芯片进行塑封,且在塑封后研磨所述塑封体,以使所述槽状屏蔽结构露出;
在所述塑封体远离所述基板的一侧以及所述塑封体的周侧设置屏蔽层;其中,所述屏蔽层通过所述槽状屏蔽结构与接地端电性连接,以使所述槽状屏蔽结构在所述至少两个芯片之间形成电磁屏蔽。
6.根据权利要求5所述的电磁屏蔽结构制作方法,其特征在于,所述提供一基板,在所述基板上形成槽状屏蔽结构的步骤包括:
提供一基板;
在所述基板的一侧贴装第一材料层,在所述基板远离所述第一材料层的一侧贴装第一金属层;
在所述第一材料层的开槽区域挖槽,直至所述第一金属层,以形成一沟槽;
在所述沟槽内电镀导电层,并在电镀所述导电层之后,向所述沟槽内填充应力缓冲材料;
对设定区域进行保护,对所述第一材料层以及所述第一金属层进行蚀刻,在所述基板上形成所述槽状屏蔽结构。
7.根据权利要求6所述的电磁屏蔽结构制作方法,其特征在于,在通过塑封体对所述芯片进行塑封之前,所述方法还包括:
通过打线,将所述芯片的接地参考点与所述槽状屏蔽结构电性连接,以通过所述槽状屏蔽结构与所述接地端连接。
8.根据权利要求5所述的电磁屏蔽结构制作方法,其特征在于,所述提供一基板,在所述基板上形成槽状屏蔽结构的步骤包括:
提供一基板;
在所述基板的一侧贴装第一材料层,在所述基板远离所述第一材料层的一侧贴装第一金属层,在所述第一材料层远离所述基板的一侧贴装第二金属层,在所述第二金属层远离所述第一材料层的一侧贴装第二材料层;
在所述第二材料层的开槽区域挖槽,直至所述第一金属层,以形成沟槽;
在所述沟槽内电镀导电层,并在电镀所述导电层之后,向所述沟槽内填充应力缓冲材料;
对设定区域进行保护,对所述第二材料层、第二金属层、所述第一材料层以及所述第一金属层进行蚀刻,在所述基板上形成具有接地点的槽状屏蔽结构。
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