[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

半导体装置及其制造方法。一种半导体装置包括：源极结构；位线；层叠结构，该层叠结构位于源极结构和位线之间；源极接触结构，该源极接触结构穿过层叠结构并且电联接到源极结构；以及保护图案，该保护图案插置在源极接触结构和源极结构之间并且根据保护图案的区域具有变化的厚度。

技术领域

各种实施方式总体上涉及一种电子装置，更具体地，涉及一种半导体装置和一种制造该半导体装置的方法。

背景技术

无论电源是否可用，非易失性存储器装置都会保留存储的数据。近来，存储器单元形成为基板上的单层的二维非易失性存储器装置的集成密度的增加受到限制。因此，已经提出了存储器单元在垂直方向上层叠在基板上的三维非易失性存储器装置。

三维非易失性存储器装置可以包括彼此交替层叠的层间绝缘层和栅极，以及穿过层间绝缘层和栅极的沟道层，其中存储器单元沿着沟道层层叠。已经开发了各种结构和制造方法来提高三维非易失性存储器装置的操作可靠性。

发明内容

根据一个实施方式，一种半导体装置可以包括：源极结构；位线；层叠结构，该层叠结构位于源极结构和位线之间；源极接触结构，该源极接触结构穿过层叠结构并且电联接到源极结构；以及保护图案，该保护图案插置在源极接触结构和源极结构之间并且根据保护图案的区域具有变化的厚度。

根据一个实施方式，一种半导体装置可以包括：源极结构，该源极结构包括第一源极层、第二源极层和插置在第一源极层和第二源极层之间的第三源极层；位线；层叠结构，该层叠结构位于源极结构和位线之间；源极接触结构，该源极接触结构穿过层叠结构并且电联接到源极结构；以及绝缘间隔件，该绝缘间隔件围绕源极接触结构的侧壁。该半导体装置还包括保护图案，该保护图案插置在绝缘间隔件和源极结构之间，并且在第一源极层、第二源极层和第三源极层之间的界面处覆盖由绝缘间隔件围绕的源极接触结构。

根据一个实施方式，一种制造半导体装置的方法可以包括以下步骤：形成源极结构；在包括牺牲层的源极结构上方形成层叠结构；形成穿过层叠结构并且暴露牺牲层的狭缝；通过狭缝将牺牲层替换为第一源极层；通过经由狭缝选择性地氧化源极结构而形成保护图案，所述保护图案根据保护图案的区域而具有变化的厚度；以及在狭缝中形成源极接触结构。

一种制造半导体装置的方法可以包括以下步骤：形成源极结构，该源极结构包括第一源极层、第二源极层和插置在第一源极层和第二源极层之间的牺牲层；形成层叠结构，该层叠结构包括交替层叠在源极结构上方的第一材料层和第二材料层；形成穿过层叠结构并且暴露牺牲层的狭缝；以及通过狭缝将牺牲层替换为第三源极层。所述方法还包括以下步骤：通过经由狭缝选择性地氧化第一源极层、第二源极层和第三源极层，形成覆盖第一源极层、第二源极层和第三源极层之间的界面的保护图案；以及在狭缝中形成源极接触结构。

附图说明

图1是示出根据本公开的实施方式的半导体装置的结构的截面图；

图2A至图2G是示出根据本公开的实施方式的半导体装置的结构的截面图；

图3A至图3R是示出根据本公开的实施方式的制造半导体装置的方法的截面图；

图4A和图4B是示出根据本公开的实施方式的制造半导体装置的方法的截面图；

图5是示出根据本公开的实施方式的存储器系统的配置的框图；

图6是示出根据本公开的实施方式的存储器系统的配置的框图；

图7是示出根据本公开的实施方式的计算系统的配置的框图；以及

图8是示出根据本公开的实施方式的计算系统的框图。

具体实施方式