[发明专利]发光背板以及发光背板的制备方法在审
申请号: | 202010396084.0 | 申请日: | 2020-05-12 |
公开(公告)号: | CN113658972A | 公开(公告)日: | 2021-11-16 |
发明(设计)人: | 杨婷慧;王涛;顾杨;姜博;李静静;韩赛赛 | 申请(专利权)人: | 成都辰显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/48;H01L33/60 |
代理公司: | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人: | 成丽杰 |
地址: | 611731 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 背板 以及 制备 方法 | ||
本发明实施例涉及显示技术领域,公开了一种发光背板以及发光背板的制备方法,包括:基板,位于所述基板上的反射层;在所述反射层远离所述基板一侧依次层叠设置有平坦化层、以及驱动电路层;位于所述驱动电路层远离所述基板一侧的多个发光单元。可以在提高光线利用率的同时,提高了反射层与整个驱动背板的兼容性。
技术领域
本发明实施例涉及显示技术领域,特别涉及一种发光背板以及发光背板的制备方法。
背景技术
LED芯片为360度发光,从micro LED屏幕表面收集到的光大部分为LED正面出射的光。但LED背面出射的光占比很大,接近总发光量的50%,但正常的屏幕无法收集LED芯片背面出射的光,造成了micro LED屏光线利用率较低。现有给出了两种解决方案,一种解决方案为:在LED芯片背部或者侧壁制作反射层,将LED芯片照射到背部及侧壁的光反射,增加LED芯片照射到侧壁及背部光线的利用率。另一种解决方案为:将LED芯片邦定于反射杯中,将LED芯片照射到背部及侧壁的光反射,增加LED芯片照射到侧壁及背部光线的利用率。
然而,发明人发现现有技术中这两种解决方案中反射层设置于驱动电路层上方,与整个驱动背板的兼容性不好。
发明内容
本发明实施方式的目的在于提供一种发光背板以及发光背板的制备方法,可以在提高光线利用率的同时,提高了反射层与整个驱动背板的兼容性。
为解决上述技术问题,本发明的实施方式提供了一种发光背板,包括:基板;位于所述基板上的反射层;在所述反射层远离所述基板一侧依次层叠设置的平坦化层、以及驱动电路层;位于所述驱动电路层远离所述基板一侧的多个发光单元。
本发明的实施方式还提供了一种发光背板的制备方法,在基板上制备反射层;在所述反射层远离所述基板的一侧依次制备平坦化层、以及驱动电路层,在所述驱动电路层远离所述基板的一侧制备多个发光单元。
本发明实施方式相对于现有技术而言提供了一种发光背板,在基板上设置反射层,在反射层远离基板一侧依次层叠设置平坦化层、以及驱动电路层;位于驱动电路层远离基板一侧设置多个发光单元,发光单元背面出射的光线经反射层反射,从而增加了发光单元的光线利用率,且本实施方式中在制备发光背板结构时,可直接利用与制备平坦化层相同的制备工艺来制备反射层,无需在驱动电路层上方单独制备反射杯,或在发光单元背部或者侧壁单独制作反射层,提高了反射层与驱动背板(驱动背板包括:基板、平坦化层、以及驱动电路层)的兼容性。
另外,所述反射层远离所述基板一侧的表面具有多个第一凹坑,每个所述发光单元与每个所述第一凹坑相对设置。该方案与发光单元相对设置的第一凹坑能够将发光单元背部发射的光线集中反射后由发光单元的正面射出,避免了将发光单元的光线反射至其他发光单元,而干扰其他发光单元的出射光线。
另外,还包括:位于所述基板与所述反射层之间的磷硅玻璃层;所述磷硅玻璃层远离所述基板一侧的表面具有多个第二凹坑,所述第一凹坑与所述第二凹坑相嵌合。该方案由于第一凹坑与所述第二凹坑相嵌合,可直接在具有第二凹坑的磷硅玻璃层远离基板的一侧形成具有多个第一凹坑的反射层,节约了反射层的材料成本、且简化了反射层的制备工艺。
另外,所述第一凹坑与所述第二凹坑形状相同;可选地,所述第二凹坑的表面呈圆弧状;可选地,所述第二凹坑的曲率半径为预设像素尺寸的0.5~5倍。
另外,所述反射层为无机布拉格反射层;可选地,所述反射层的厚度范围在1微米~5微米。该方案由于无机布拉格反射层具备良好的光线反射能力,因此可降低无机布拉格反射层的厚度,节约了反射层的材料成本。
另外,所述第一凹坑的表面呈阶梯状或呈圆弧状。
另外,所述第一凹坑的开口大小为所述发光单元的尺寸的1~2倍;可选地,所述第一凹坑的最底部与最高处的距离为预设像素尺寸的0.1~0.5倍。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的