[发明专利]发光背板以及发光背板的制备方法在审
申请号: | 202010396084.0 | 申请日: | 2020-05-12 |
公开(公告)号: | CN113658972A | 公开(公告)日: | 2021-11-16 |
发明(设计)人: | 杨婷慧;王涛;顾杨;姜博;李静静;韩赛赛 | 申请(专利权)人: | 成都辰显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/48;H01L33/60 |
代理公司: | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人: | 成丽杰 |
地址: | 611731 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 背板 以及 制备 方法 | ||
1.一种发光背板,其特征在于,包括:
基板;
位于所述基板上的反射层;
在所述反射层远离所述基板一侧依次层叠设置的平坦化层、以及驱动电路层;
位于所述驱动电路层远离所述基板一侧的多个发光单元。
2.根据权利要求1所述的发光背板,其特征在于,所述反射层远离所述基板一侧的表面具有多个第一凹坑,每个所述发光单元与每个所述第一凹坑相对设置。
3.根据权利要求2所述的发光背板,其特征在于,还包括:位于所述基板与所述反射层之间的磷硅玻璃层;所述磷硅玻璃层远离所述基板一侧的表面具有多个第二凹坑,所述第一凹坑与所述第二凹坑相嵌合。
4.根据权利要求3所述的发光背板,其特征在于,所述第二凹坑的表面呈圆弧状,所述第二凹坑的曲率半径为预设像素尺寸的0.5~5倍。
5.根据权利要求1所述的发光背板,其特征在于,所述反射层为无机布拉格反射层,所述反射层的厚度范围在1微米~5微米。
6.根据权利要求1所述的发光背板,其特征在于,所述第一凹坑的表面呈阶梯状或呈圆弧状。
7.根据权利要求1所述的发光背板,其特征在于,所述第一凹坑的开口大小为所述发光单元的尺寸的1~2倍。
8.一种发光背板的制备方法,其特征在于,
在基板上制备反射层;
在所述反射层远离所述基板的一侧依次制备平坦化层、以及驱动电路层,
在所述驱动电路层远离所述基板的一侧制备多个发光单元。
9.根据权利要求8所述的发光背板的制备方法,其特征在于,所述在基板上制备反射层之前,还包括:
在所述基板上制备磷硅玻璃层;
在所述磷硅玻璃层上形成多个第二凹坑,所述第一凹坑与所述第二凹坑相嵌合。
10.根据权利要求9所述的发光背板的制备方法,其特征在于,所述在所述磷硅玻璃层上形成多个第二凹坑之后,且在基板上制备反射层之前,还包括:
对具有所述第二凹坑的磷硅玻璃层进行高温回流以使所述第二凹坑的表面呈圆弧状。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的