[发明专利]半导体元件结构及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体元件结构的制备方法，包括：

在一基底上形成一环状结构；

执行一蚀刻工艺以在该环状结构下形成一环状半导体鳍部；

在该基底与该环状半导体鳍部的一底部接触的一表面上，形成一下源极/漏极区；

形成与该环状半导体鳍部的一内侧壁接触的一内栅极结构，并形成与该环状半导体鳍部的一外侧壁接触的一外栅极结构；以及

在该环状半导体鳍部的一上部上形成一上源极/漏极区。

2.如权利要求1所述的半导体元件结构的制备方法，还包括：

在该基底上形成一柱体；

形成环绕该柱体的该环状结构，其中该柱体的一宽度大于该环状结构的一宽度；以及

移除在该环状结构形成之后的该柱体。

3.如权利要求2所述的半导体元件结构的制备方法，其中该柱体的该宽度大于该环状结构的一宽度的三倍。

4.如权利要求1所述的半导体元件结构的制备方法，还包括：

形成具有暴露该环状半导体鳍部的一部分的一缝隙的一遮罩层；以及

执行一蚀刻工艺以移除该环状半导体鳍部通过该缝隙而暴露的一部分。

5.如权利要求4所述的半导体元件结构的制备方法，其中该缝隙暴露该内栅极结构的一部分以及该外栅极结构的一部分，而该蚀刻工艺移除该内栅极结构的一部分以及该外栅极结构的一部分。

6.如权利要求1所述的半导体元件结构的制备方法，还包括在该下源极/漏极区的顶部上形成一牺牲外延半导体层，其中该下源极/漏极区由一第一种外延半导体材料所制，该牺牲外延半导体层由一第二种外延半导体材料所制。

7.如权利要求6所述的半导体元件结构的制备方法，还包括选择地氧化该牺牲外延半导体层，以形成包括有一氧化层的一自对准底隔离间隙子。

8.如权利要求7所述的半导体元件结构的制备方法，其中该自对准低隔离间隙子使该内栅极结构电性隔离该下源极/漏极区。

9.一种半导体元件结构，包括：

一基底；

一环状鳍部，配置在该基底上方；

一下源极/漏极区，配置在该基底的一表面上，并接触该环状鳍部的一底部；

一内栅极结构以及一外栅极结构，该内栅极结构接触该环状鳍部的一内侧壁，该外栅极结构接触该环状鳍部的一外侧壁；以及

一上源极/漏极区，配置在该环状鳍部的一上部上。

10.如权利要求9所述的半导体元件结构，其中该环状鳍部的一内宽度大于该环状鳍部的一鳍部宽度。

11.如权利要求10所述的半导体元件结构，其中该内宽度大于该鳍部宽度的三倍。

12.如权利要求9所述的半导体元件结构，其中相邻对的多个环状鳍部是以一间隔宽度而分离设置，该间隔宽度大于该环状鳍部的一鳍部宽度。

13.如权利要求12所述的半导体元件结构，其中该间隔宽度大于该鳍部宽度的三倍。

14.如权利要求9所述的半导体元件结构，其中相邻对的多个环状鳍部是以一间隔宽度而分离设置，该间隔宽度大于该环状鳍部的一鳍部宽度的三倍。

15.一种半导体元件结构，包括：

一基底；

多个弯曲鳍部，配置在该基底上方；

一下源极/漏极区，配置在该基底的一表面上，并接触所述多个弯曲鳍部的一底部；

一内栅极结构与一外栅极结构，该内栅极结构接触所述多个弯曲鳍部的一内侧壁，该外栅极结构接触所述多个弯曲鳍部的一外侧壁；以及

一上源极/漏极区，配置在所述多个弯曲鳍部的一上部上。