[发明专利]一种显示装置及显示装置的制作方法有效
| 申请号: | 202010358026.9 | 申请日: | 2020-04-29 |
| 公开(公告)号: | CN111508991B | 公开(公告)日: | 2023-10-13 |
| 发明(设计)人: | 孙中元;李海旭;曹占锋;王路;袁广才 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L23/34 |
| 代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 刘红彬 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 显示装置 制作方法 | ||
本发明涉及显示的领域,公开一种显示装置及显示装置的制作方法,该显示装置。包括:衬底基板,在所述衬底基板上依次设置的薄膜晶体管、钝化层、像素平坦层和像素单元,每一个所述像素单元包括红色子像素、绿色子像素以及蓝色子像素,其中,所述红色子像素包括蓝光Micro‑LED和位于蓝光Micro‑LED背离所述衬底基板一侧的红色量子点层,所述绿色子像素包括蓝光Micro‑LED和位于蓝光Micro‑LED背离所述衬底基板一侧的绿色量子点层;至少一部分像素单元还包括:设置与所述像素单元的遮光区域内的温度传感器件,所述温度传感器件用于检测所述蓝光Micro‑LED点亮时的温度、并将检测的温度实时反馈至像素单元的驱动单元。
技术领域
本发明涉及显示的技术领域,特别涉及一种显示装置及显示装置的制作方法。
背景技术
现有的Micro-LED比OLED技术亮度更高发光效率更好,功耗更低,具有发光效率高、寿命长且功耗低、响应快的特点。
目前的Micro-LED彩色化技术为红绿蓝三色LED芯片方案,但是此方案面临着将数以千计的LED chip搬到驱动背板上并实现发光的功能的巨量转移难题,同时,红光Micro-LED的价格比蓝光Micro-LED高出很多。
为此,研发工作者设计出了蓝光Micro-LED+QD(Quantum Dot量子点)技术方案。如果使用红绿蓝三色Micro-LED,巨量转移需要三次,只用蓝光Micro-LED的技术方案只需要巨量转移一次,同时能够取代红光Micro-LED,降低生产成本。在蓝光Micro-LED上制作绿色量子点和红色量子点来取代绿光Micro-LED和红光Micro-LED,在节省成本、降低工艺难度的同时,还能够提升显示产品色域。
但是LED在点亮时除了发光还会产生热,在温度和环境湿度的作用下,LED+QD结构的发光效率会衰减。有研究表明,LED+QD结构在进行85℃/85%老化实验时,除了LED驱动电流外,温度是对器件失效的第二重要影响因素。
发明内容
本发明公开了一种显示装置及显示装置的制作方法,用于提升显示装置寿命。
为达到上述目的,本发明提供以下技术方案:
第一方面,本发明提供的一种显示装置,包括:衬底基板,在所述衬底基板上依次设置的薄膜晶体管、钝化层、像素平坦层和像素单元,每一个所述像素单元包括红色子像素、绿色子像素以及蓝色子像素,其中,所述红色子像素包括蓝光Micro-LED和位于蓝光Micro-LED背离所述衬底基板一侧的红色量子点层,所述绿色子像素包括蓝光Micro-LED和位于蓝光Micro-LED背离所述衬底基板一侧的绿色量子点层;至少一部分像素单元还包括:
设置与所述像素单元的遮光区域内的温度传感器件,所述温度传感器件用于检测所述蓝光Micro-LED点亮时的温度、并将检测的温度实时反馈至像素单元的驱动单元。
在至少一部分像素单元的遮光区域内设置温度传感器,如果温度传感器检测到蓝光Micro-LED点亮时温度超过设定值后,并将检测的温度实时反馈至像素单元的驱动单元,驱动单元通过调整蓝光Micro-LED的电流来降低蓝光Micro-LED的发热量,以确保蓝光Micro-LED及位于背离衬底基板一侧的绿色量子点层和红色量子点层的材料不会因为温度过高而能效衰减,进而能够大幅提升显示装置的寿命。
进一步地,包括:设置在所述蓝光Micro-LED周围的挡墙胶、且所述挡墙胶上设有镂空结构;
所述温度传感器件包括:
设置在所述薄膜晶体管与所述钝化层之间的PN结;
填充在所述镂空结构内用于反馈所述蓝光Micro-LED温度的导热胶、所述导热胶在所述衬底基板的正投影覆盖在所述PN结在所述衬底基板上的正投影;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





