[发明专利]显示面板及其制作方法有效
| 申请号: | 202010346344.3 | 申请日: | 2020-04-27 |
| 公开(公告)号: | CN111430442B | 公开(公告)日: | 2022-11-25 |
| 发明(设计)人: | 简庆宏 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 张晓薇 |
| 地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 面板 及其 制作方法 | ||
本发明提供了显示面板及其制作方法,显示面板具有显示区和包围显示区的非显示区,包括衬底以及设于衬底上的封装层;衬底上具有设于非显示区的沟槽,当从沟槽远离显示区的一侧切割显示面板时,沟槽用于阻挡裂纹延伸;封装层设于沟槽靠近显示区的一侧,封装层包括第一无机层、第二无机层,第一无机层和第二无机层具有相同的边界,第一无机层和第二无机层通过同一光学掩模版形成,以缩短所述边界与所述显示区之间的距离;本方案可以占用显示面板较少的边缘区域,以提高显示面板的屏占比。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及显示面板制造技术领域,具体涉及显示面板及其制作方法。
背景技术
OLED(Organic Light Emitting Diode,有机发光二极管)显示器件具备重量轻、厚度薄、可弯曲、视角范围大等优点,但是OLED材料遇到水氧容易快速衰减及老化,因此需要在OLED材料外围设置封装层进行封装。
然而,现有的封装技术中,封装层需要占用OLED显示面板较多的边缘区域,导致OLED显示面板的非显示区较大,降低了OLED显示面板的屏占比。
综上所述,有必要提供一种可以提高屏占比的显示面板以及显示装置。
发明内容
本发明的目的在于提供显示面板及其制作方法,通过同一光学掩模版制备封装层中的第一无机层、第二无机层,使得第一无机层、第二无机层具有相同的边界,解决了现有的封装层需要占用OLED显示面板较多的边缘区域,从而降低了OLED显示面板的屏占比的问题。
本发明实施例提供一种显示面板,所述显示面板具有显示区和包围所述显示区的非显示区,所述显示面板包括:
衬底,所述衬底上具有沟槽,所述沟槽设于所述非显示区,当从所述沟槽远离所述显示区的一侧切割所述显示面板时,所述沟槽用于阻挡裂纹延伸;
封装层,所述封装层设于所述衬底上,所述封装层设于所述沟槽靠近所述显示区的一侧,所述封装层包括第一无机层、第二无机层,所述第一无机层和所述第二无机层具有相同的边界,所述第一无机层和所述第二无机层通过同一光学掩模版形成,以缩短所述边界与所述显示区之间的距离。
在一实施例中,所述显示面板还包括光阻层,所述光阻层设于所述封装层靠近所述衬底的一侧,所述光阻层包括第一光阻部,所述第一光阻部与所述沟槽相对设置。
在一实施例中,所述第一无机层和所述第二无机层的边界位于所述第一光阻部上。
在一实施例中,所述显示面板还包括挡墙,所述挡墙设于所述封装层与所述光阻层之间,所述挡墙设于所述沟槽靠近所述显示区的一侧,所述沟槽与所述挡墙之间的水平距离大于30微米、且小于100微米。
在一实施例中,所述光阻层还包括第二光阻部,所述第二光阻部设于所述沟槽靠近所述显示区的一侧,所述第二光阻部承载所述挡墙以及所述封装层。
在一实施例中,所述第二光阻部与所述第一光阻部之间具有间隙,所述封装层设于所述第一光阻部、所述间隙、所述挡墙以及所述第二光阻部上。
在一实施例中,所述封装层还包括有机层,所述有机层设于所述第一无机层和所述第二无机层之间,所述有机层设于所述挡墙靠近所述显示区的一侧。
本发明实施例还提供显示面板的制作方法,用于制作如上文任一所述的显示面板,所述显示面板具有显示区和包围所述显示区的非显示区,其特征在于,所述方法包括:
提供一衬底,所述衬底上具有沟槽,所述沟槽设于所述非显示区,当从所述沟槽远离所述显示区的一侧切割所述显示面板时,所述沟槽用于阻挡裂纹延伸;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电半导体显示技术有限公司,未经武汉华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010346344.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:地下水抽出处理回灌系统及地下水处理方法
- 下一篇:一种农作物种植施肥装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





