[发明专利]显示面板及其制作方法和显示装置有效
申请号: | 202010325729.1 | 申请日: | 2020-04-23 |
公开(公告)号: | CN111430382B | 公开(公告)日: | 2022-09-23 |
发明(设计)人: | 南洋;汪梅林 | 申请(专利权)人: | 上海天马微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人: | 于淼 |
地址: | 201201 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制作方法 显示装置 | ||
本发明公开了一种显示面板及其制作方法和显示装置,涉及显示技术领域,包括:衬底基板和位于衬底基板上的多个驱动晶体管;驱动晶体管包括栅极、有源层、第一极和第二极,栅极、第一极和第二极在衬底基板上的正投影均与有源层在衬底基板上的正投影交叠,且第一极和第二极位于栅极远离衬底基板的一侧,有源层位于第一极和第二极朝向衬底基板的一侧;显示面板还包括第一绝缘层,第一绝缘层位于栅极远离衬底基板的一侧,第一绝缘层包括第一凹槽,第一极的至少部分和有源层的至少部分位于第一凹槽中;在第一凹槽中:沿垂直于衬底基板的方向,至少部分有源层位于第一极与衬底基板之间。有利于减小显示面板厚度,满足显示装置的薄形化需求。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,更具体地,涉及一种显示面板及其制作方法和显示装置。
背景技术
显示技术作为信息产业的重要组成部分,已在信息技术的发展过程中发挥了重要作用,大到电视机、笔记本,小到手机、平板,都离不开显示技术的支持。随着科学技术的发展,显示技术也从最初的阴极射线管显示技术(CRT)发展到平板显示技术(FPD),平板显示更是延伸出等离子显示(PDP)、液晶显示(LCD)、有机发光二极管显示(OLED)、微发光二极管显示等技术路线。
对于有机发光二极管显示面板或微发光二极管显示面板,发光结构或发光元件均是通过驱动晶体管的驱动来发光的,显示面板包括衬底基板和位于衬底基板一侧的驱动功能层,驱动晶体管位于该驱动功能层,发光结构或发光元件位于驱动功能层远离衬底基板的一侧。在垂于衬底基板所在平面的方向,发光结构或发光元件与衬底基板之间的距离大于等于驱动功能层的厚度,而由于驱动功能层本身的厚度较大,从而导致显示面板的整体厚度较大,不利于显示面板的薄形化需求。
发明内容
有鉴于此,本发明提供了一种显示面板及其制作方法和显示装置,有利于减小显示面板的厚度,满足显示装置的薄形化需求。
第一方面,本申请提供一种显示面板,包括:衬底基板和位于衬底基板上的多个驱动晶体管;所述驱动晶体管包括栅极、有源层、第一极和第二极,所述栅极、所述第一极和所述第二极在所述衬底基板上的正投影均与所述有源层在所述衬底基板上的正投影交叠,且所述第一极和所述第二极位于所述栅极远离所述衬底基板的一侧,所述有源层位于所述第一极和所述第二极朝向所述衬底基板的一侧;
所述显示面板还包括第一绝缘层,所述第一绝缘层位于所述栅极远离衬底基板的一侧,所述第一绝缘层包括第一凹槽,所述第一极的至少部分和所述有源层的至少部分位于所述第一凹槽中;在所述第一凹槽中:沿垂直于所述衬底基板的方向,至少部分所述有源层位于所述第一极与所述衬底基板之间。
第二方面,本申请还提供一种显示面板的制作方法,包括:
提供一衬底基板;
在所述衬底基板上制作栅极;
在所述栅极远离所述衬底基板的一侧形成第一绝缘层,并在所述第一绝缘层上形成第一凹槽;
在所述第一绝缘层远离所述衬底基板的一侧形成有源层,至少部分所述有源层位于所述第一凹槽中,至少部分所述有源层位于所述第一绝缘层远离所述衬底基板的表面;所述有源层在所述衬底基板所在平面的正投影与所述栅极在所述衬底基板所在平面的正投影交叠;
在所述有源层远离所述衬底的一侧制作第一极和第二极,所述第一极和所述第二极在所述衬底基板所在平面端正投影均与所述有源层交叠;且所述第一极在所述衬底基板所在平面的正投影的至少部分位于所述第一凹槽中。
第三方面,本申请还提供一种显示装置,包括本申请中的显示面板。
与现有技术相比,本发明提供的显示面板及其制作方法和显示装置,至少实现了如下的有益效果:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的