[发明专利]暖机控制方法和半导体加工设备有效

专利信息
申请号: 202010321947.8 申请日: 2020-04-22
公开(公告)号: CN111501003B 公开(公告)日: 2022-06-17
发明(设计)人: 陈雪涛 申请(专利权)人: 北京北方华创微电子装备有限公司
主分类号: C23C14/54 分类号: C23C14/54;C23C14/24;H01L21/67
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 彭瑞欣;王婷
地址: 100176 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 控制 方法 半导体 加工 设备
【说明书】:

发明提供一种暖机控制方法和半导体加工设备,该方法包括:在启动预置的配置界面时,读取预先存储在配置文件中的工艺腔室的暖机属性的初始值,并在配置界面中显示;暖机属性包括暖机标识、暖机时间阈值和暖机任务名称;若暖机标识表征为需要暖机,则实时获取工艺腔室的当前空闲时间,并判断当前空闲时间是否大于暖机时间阈值;若大于,则发出暖机提示;在接收到使用者输入的确认信息时,切换至预置的暖机界面,暖机界面上显示是否执行暖机任务的选项;在接收到使用者输入的执行暖机任务的指令时,根据暖机任务名称对应的暖机配方执行暖机任务。本发明提供的暖机控制方法,可以避免使用者对需要暖机的工艺腔室直接执行任务,减少误操作。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域,具体地,涉及一种暖机控制方法和半导体加工设备。

背景技术

对于物理气相沉积(Physical Vapor Deposition,PVD)工艺,是指在真空条件下,利用气体放电使靶材蒸发,并使被蒸发物质与气体均发生电离,同时利用电场的加速作用,使被蒸发物质及其反应产物沉积在晶片表面。

当工艺腔室在较长时间未使用的情况下,腔室温度会降至较低温度,并且在靶材表面会附着一层氧化物,直接在这样的状态下的工艺腔室中进行工艺,在工艺初期,腔室温度呈上升的趋势,无法立刻稳定在工艺所需的最佳温度,会对工艺稳定性有一定的影响;并且,靶材表面上残留的氧化物一旦沉积到晶片表面也会影响工艺结果。因此,通常在工艺腔室空闲了一段时间之后再要进行工艺时,需要对工艺腔室进行暖机操作。通常情况下暖机操作是通过使用屏蔽盘或专用暖机片在工艺腔室中执行暖机配方来实现。

目前,在机台执行任务之前,操作人员需要依次查看各工艺腔室的空闲时间,当该空闲时间大于操作人员认定的暖机阈值后,则确定工艺腔室在进行工艺前需要进行暖机。在确定需要暖机后,再根很容易造成遗漏和误操作,致使机台在未进行暖机的情况下进行了工艺,从而增加了工艺不稳定性,影响工艺结果。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提出了一种暖机控制方法和半导体加工设备,其可以提示使用者对工艺腔室进行暖机操作,避免使用者对需要暖机的工艺腔室直接执行任务,而且无需使用者记住每个工艺腔室的暖机属性,减少误操作。

为实现上述目的,本发明提供了一种暖机控制方法,包括:

在启动预置的配置界面时,读取预先存储在配置文件中的工艺腔室的暖机属性的初始值,并在所述配置界面中显示;所述暖机属性包括暖机标识、暖机时间阈值和暖机任务名称,所述暖机标识所包含的信息用于表征需要暖机和不需要暖机;

若所述暖机标识表征为需要暖机,则实时获取所述工艺腔室的当前空闲时间,并判断所述当前空闲时间是否大于所述暖机时间阈值;若大于,则发出暖机提示,并将所述暖机标识更改为表征不需要暖机;

在接收到使用者输入的确认信息时,切换至预置的暖机界面,所述暖机界面上显示是否执行暖机任务的选项;

在接收到使用者输入的执行暖机任务的指令时,根据所述暖机任务名称对应的暖机配方执行暖机任务,并在完成暖机之后将所述暖机标识更改为表征需要暖机。

可选的,所述若大于,则发出暖机提示的步骤,具体包括:

弹出阻塞型窗口,以提示使用者进行暖机操作;所述阻塞型窗口被设置为能够阻挡使用者点击其他区域。

可选的,在所述预置的配置界面上提供可修改所述暖机属性的选项。

可选的,所述暖机控制方法,还包括:

预先配置所述暖机属性的修改权限;

在接收到使用者的修改请求时,判断所述使用者是否具备修改权限,若具备,则允许所述使用者修改所述暖机属性;若不具备,则不允许所述使用者修改所述暖机属性。

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