[发明专利]半导体装置形成方法

说明书

一种半导体装置形成方法，包括在基底上形成鳍片，在基底上形成绝缘材料，凹蚀绝缘材料以形成环绕鳍片的隔离区，其中鳍片的上部于隔离区的上方突出，执行修整工艺以减少鳍片的上部的宽度，以及形成延伸至隔离区上方与鳍片的上部的上方的栅极结构。

技术领域

本公开实施例涉及半导体技术，尤其涉及一种控制鳍式场效晶体管中的 鳍片宽度的方法。

背景技术

半导体装置被用于各种电子应用，例如个人电脑、行动电话、数字相机 以及其他电子设备。通常通过依序地在半导体基底上沉积材料的绝缘层或介 电层、导电层以及半导体层，并利用光刻工艺图案化各种材料层以形成电路 组件及元件来制造半导体装置。

半导体产业通过不断缩小最小特征尺寸(minimum feature size)来持续提 升各种电子组件(例如：晶体管、二极管、电阻器、电容器等等)的积集度 (integrationdensity)，其允许在一给定面积内整合更多的部件。然而，随着最 小特征尺寸的缩小，应解决的额外问题也随之出现。

发明内容

本公开实施例的目的在于提供一种半导体装置形成方法，更良好地控制 经修整的鳍片宽度。

本公开实施例提供一种方法，包括形成鳍片于基底上，形成绝缘材料于 基底上，以及凹蚀绝缘材料以形成环绕鳍片的隔离区。其中，鳍片的上部于 隔离区的上方突出。之后，执行修整工艺以减少鳍片的上部的宽度，以及形 成延伸至隔离区上方与鳍片的上部的上方的栅极结构。

本公开实施例提供一种半导体装置的形成方法，包括形成从基底突出的 半导体鳍片，其中每个半导体鳍片具有第一宽度。接着在半导体鳍片之间形 成浅沟槽隔离(STI)区，以及以电子束照射半导体鳍片，其中在照射半导体鳍 片之后，半导体鳍片具有小于第一宽度的第二宽度。

本公开实施例提供一种方法，包括形成第一半导体鳍片于基底的第一区 域上，以及形成第二半导体鳍片于基底的第二区域上。之后形成环绕第一半 导体鳍片且环绕第二半导体鳍片的隔离区，且形成掩膜于第一区域与第二区 域上，接着图案化掩膜以暴露第一区域的第一半导体鳍片，将第一半导体鳍 片暴露于电子束，之后移除掩膜。其中在移除掩膜之后，第一半导体鳍片具 有比第二半导体鳍片还小的宽度。

本公开实施例的有益效果在于，通过利用包括本文描述的电子束的修整 工艺来减少鳍片的宽度，可更良好地控制经修整的鳍片宽度。在一些情况下， 通过在形成浅沟槽隔离区之后修整鳍片，可减少装置中的鳍片粗糙度。通过 在修整工艺期间遮蔽装置的一些区域，装置中不同区域的鳍片可具有不同宽 度。

附图说明

配合所附附图来阅读以下详细叙述为理解本公开的各个方面的最佳方 式。应注意的是，依据在业界的标准做法，各种特征并未按照比例绘制。事 实上，为了清楚地表示，可能任意地放大或缩小元件的尺寸。

图1根据一实施例示出出鳍式场效晶体管的3D视图。

图2、图3、图4、图5及图6为根据一些实施例的制造鳍式场效晶体管 的中间阶段的剖面图。

图7A、图7B与图7C为根据一些实施例的修整鳍片的中间阶段的剖面 图。

图8A、图8B与图8C为根据一些实施例的修整鳍片的中间阶段的剖面 图。

图9、图10A、图10B、图11A、图11B、图12A、图12B、图12C、图 12D、图13A、图13B、图14A、图14B、图15A、图15B、图16A、图16B、 图16C、图17A、图17B、图18A与图18B为根据一些实施例的制造鳍式场 效晶体管的中间阶段的剖面图。

附图标记如下：

50:基底

50N,50P,89:区域