[发明专利]恒流电路及半导体装置在审
| 申请号： | 202010304850.6 | 申请日： | 2020-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN111831049A | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 挽地友生;深井健太郎;飞冈孝明;小川洋平 | 申请（专利权）人： | 艾普凌科有限公司 |
| 主分类号： | G05F3/24 | 分类号： | G05F3/24 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;姜冰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 流电 半导体 装置 | ||
1.一种恒流电路，该恒流电路具备漏极与恒流输出端子连接的耗尽型NMOS晶体管；和设置在所述NMOS晶体管与接地端子之间的电阻元件，其特征在于：
所述耗尽型NMOS晶体管由耗尽型第一及第二NMOS晶体管构成，该耗尽型第一及第二NMOS晶体管并联连接且以电流方向成90度的方式配置，
所述电阻元件由第一及第二电阻构成，该第一及第二电阻以电流方向成90度的方式配置。
2.如权利要求1所述的恒流电路，其特征在于：
所述第一电阻和所述第二电阻在所述第一及第二NMOS晶体管的源极与接地端子之间串联连接。
3.如权利要求1所述的恒流电路，其特征在于：
所述第一电阻和所述第二电阻在所述第一及第二NMOS晶体管的源极与接地端子之间并联连接。
4.一种恒流电路，该恒流电路具备漏极与恒流输出端子连接的耗尽型NMOS晶体管和设置在所述NMOS晶体管与接地端子之间的电阻元件，其特征在于：
所述耗尽型NMOS晶体管由耗尽型第一及第二NMOS晶体管构成，该耗尽型第一及第二NMOS晶体管栅极共同连接且以电流方向成90度的方式配置，
所述电阻元件由第一及第二电阻构成，该第一及第二电阻以电流方向成90度的方式配置，
所述第一电阻在所述第一NMOS晶体管的源极与接地端子之间连接，
所述第二电阻在所述第二NMOS晶体管的源极与接地端子之间连接。
5.如权利要求4所述的恒流电路，其特征在于：
所述第一电阻以与所述第一NMOS晶体管电流方向相同的方式配置，
所述第二电阻以与所述第二NMOS晶体管电流方向相同的方式配置。
6.如权利要求4所述的恒流电路，其特征在于：
所述第一电阻以与所述第一NMOS晶体管电流方向成90度的方式配置，
所述第二电阻以与所述第二NMOS晶体管电流方向成90度的方式配置。
7.一种半导体装置，具备如权利要求1至6中任一项所述的恒流电路。
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