[发明专利]半导体衬底清洗方法及调整方法

说明书

本发明提供一种半导体衬底清洗方法及调整方法，在半导体衬底清洗方法中，通过获取识别缺口与污染区之间的间隔角度，然后将所述半导体衬底竖直放置于一清洗槽内，并通过所述间隔角度定义所述识别缺口在所述清洗槽内的位置，以使所述识污染区位于所述清洗槽内的十一点钟至一点钟方向；执行清洗工艺，以去除所述污染区的污染物；在半导体衬底调整方法中，对所述半导体衬底执行第一道工艺，然后获取所述半导体衬底将要执行的第二道工艺；并判断所述半导体衬底将要执行的第二道工艺是否为清洗工艺，若是，则使得所述半导体衬底的识别缺口位于八点钟至十点钟方向。由此，避免所述半导体衬底的位置与工艺不符合或者影响工艺的问题。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种半导体衬底清洗方法及调整方法。

背景技术

在半导体器件的生产工艺中，半导体衬底与工艺机台部件以及装载所述半导体衬底的传送盒存在不可避免的接触，因此会对所述半导体衬底造成污染，由此需要对半导体衬底进行清洗，以去除所述半导体衬底的污染物。但在现有的清洗工艺中，对所述半导体衬底进行清洗后，所述半导体衬底表面仍然残留大量的污染物，因此会影响产品的良率。进一步的，需要对半导体衬底进行多次清洗，以彻底去除半导体衬底表面的污染物，从而达到清洗的目的，由此，造成了清洗效率低的问题。因此，如何提高半导体车衬底的清洗效率的问题始终困扰着本领域技术人员。并且所述半导体衬底在进行清洗前，需要调整所述半导体衬底的位置，比如，所述半导体衬底在清洗工艺前的一道工艺为离子注入，所述半导体衬底在离子注入工艺时的位置与所述清洗工艺时位置不同。且所述半导体衬底需要进行多次离子注入工艺，在完成多次离子注入工艺后，需要对所述半导体衬底的位置进行调整并进行清洗工艺，因此，在完成一次或者多次离子注入工艺后无法确定是否调整半导体衬底的位置，由此需要一种方法，以确定所述半导体衬底的位置是否调整。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体衬底清洗方法及调整方法，以提高所述半导体衬底的清洗效率以及调整所述半导体衬底的位置。

为解决上述技术问题，本发明提供一种半导体衬底清洗方法，所述半导体衬底清洗方法包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底包括污染区和识别缺口，且所述识别缺口与所述污染区之间存在间隔；

获取所述识别缺口与所述污染区之间的间隔角度；

将所述半导体衬底竖直放置于一清洗槽内，并通过所述间隔角度定义所述识别缺口在所述清洗槽内的位置，以使所述污染区位于所述清洗槽内的十一点钟至一点钟方向；

执行清洗工艺，以去除所述污染区的污染物。

可选的，在所述半导体衬底清洗方法中，所述间隔角度介于0度至180度之间。

可选的，在所述半导体衬底清洗方法中，所述清洗槽包括第一容器和第二容器，所述第二容器位于所述第一容器内，且所述半导体衬底竖直放置于所述第二容器内。

可选的，在所述半导体衬底清洗方法中，所述清洗槽设有进液口和出液口，所述进液口位于所述第二容器的底部，所述出液口位于所述第一容器的底部。

可选的，在所述半导体衬底清洗方法中，执行清洗工艺时，清洗液能够经所述进液口进入所述第二容器，流经所述半导体衬底的污染区后通过所述第二容器的顶部流入所述第一容器，并通过所述出液口排出。

可选的，在所述半导体衬底清洗方法中，所述清洗液为酸性溶液。

可选的，在所述半导体衬底清洗方法中，在执行清洗工艺，以去除所述污染区的污染物之后，所述半导体衬底的清洗方法还包括将去除的所述污染物排出所述清洗槽。

基于同一发明构思，本发明还提供一种半导体衬底调整方法，所述半导体衬底调整方法包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底包括一识别缺口；