[发明专利]半导体器件及其制造方法及包括其的电子设备

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底上的纳米片叠层，包括在相对于所述衬底的竖直方向上彼此间隔开的多个纳米片，所述多个纳米片中至少一个纳米片具有沿第一取向的第一部分，所述第一部分的上表面和下表面中至少之一与所述衬底的水平表面不平行。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述至少一个纳米片还具有沿不同于所述第一取向的第二取向的第二部分。

3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中，

所述衬底的水平表面为{100}晶面族中之一，所述第一部分的上表面和下表面中所述至少之一为{110}晶面族中之一；或者

所述衬底的水平表面为{110}晶面族中之一，所述第一部分的上表面和下表面中所述至少之一为{100}晶面族中之一。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，

所述衬底的水平表面为{100}晶面族中之一，所述第一部分的上表面和下表面中所述至少之一为{110}晶面族中之一，所述第二部分的上表面和下表面中至少之一为{100}晶面族中之一；或者

所述衬底的水平表面为{110}晶面族中之一，所述第一部分的上表面和下表面中所述至少之一为{100}晶面族中之一，所述第二部分的上表面和下表面中至少之一为{110}晶面族中之一。

5.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中，所述多个纳米片中相邻的纳米片之间的间隔距离是实质上均匀的。

6.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中，所述多个纳米片中的至少一个纳米片呈拐点为一个或更多个的折线形状。

7.根据权利要求1或2所述的半导体器件，还包括：

所述衬底上在第一方向上处于所述纳米片叠层的相对两侧且与所述纳米片叠层中的纳米片相接的源/漏部；以及

所述衬底上沿与所述第一方向相交的第二方向延伸且与所述纳米片交迭的栅堆叠。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述栅堆叠设置在所述纳米片叠层与所述衬底之间、所述纳米片叠层中的纳米片之间以及所述纳米片叠层上。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，还包括设置在所述栅堆叠与所述衬底之间的电介质层。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述电介质层中包括气隙。

11.根据权利要求8、9或10所述的半导体器件，还包括：设置在所述栅堆叠的侧壁上的栅侧墙，所述栅侧墙包括在所述纳米片之上的第一部分以及所述纳米片之下的第二部分。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述栅侧墙的第一部分和第二部分具有实质上相同的厚度。

13.根据权利要求11或12所述的半导体器件，其中，所述栅侧墙的第一部分和第二部分各自的内侧壁在竖直方向上实质上对准。

14.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述栅侧墙的外侧壁与所述纳米片叠层中的纳米片的外侧壁在竖直方向上实质上对准。

15.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，

在所述衬底上设置有多个所述半导体器件，所述多个半导体器件中在所述第一方向上相邻的半导体器件之间通过隔离部彼此电隔离，其中，所述隔离部在所述第一方向上的范围由沿所述第二方向延伸的虚设栅侧墙限定。

16.根据权利要求15所述的半导体器件，其中，所述半导体器件的源/漏部的顶部在所述第一方向上的范围由所述半导体器件的栅侧墙以及所述虚设栅侧墙限定。