[发明专利]一种显示面板、制作方法以及显示装置有效
申请号: | 202010277940.0 | 申请日: | 2020-04-10 |
公开(公告)号: | CN111463221B | 公开(公告)日: | 2022-12-27 |
发明(设计)人: | 姜文鑫;匡娅祺 | 申请(专利权)人: | 上海天马微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L51/52;H01L27/15;H01L23/495;G09F9/30 |
代理公司: | 北京允天律师事务所 11697 | 代理人: | 魏金霞 |
地址: | 201201 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 制作方法 以及 显示装置 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
可拉伸基板,所述可拉伸基板包括多个可拉伸单元,所述可拉伸单元包括两个岛状结构以及连接两个所述岛状结构的桥接结构,多个所述岛状结构在所述显示面板所在平面上间隔排布;
阵列层,所述阵列层至少包括薄膜晶体管,所述薄膜晶体管设置在所述岛状结构或所述桥接结构的一侧表面;
发光器件层,设置在位于所述岛状结构上的阵列层远离所述岛状结构的一侧表面;
散热单元,设置在所述岛状结构或所述桥接结构远离所述发光器件层的一侧,部分所述散热单元复用所述阵列层或所述发光器件层中的金属层;
所述可拉伸单元中的两个所述岛状结构与连接两个所述岛状结构的桥接结构形成第一间隙,
同一所述可拉伸单元中,所述散热单元在所述可拉伸基板上的投影位于所述岛状结构在所述可拉伸基板上的投影内,或,位于所述桥接结构在所述可拉伸基板上的投影内;
且,所述散热单元在所述可拉伸基板上的投影与所述第一间隙在所述可拉伸基板上的投影互不交叠。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述散热单元包括至少一个第一散热子单元以及至少一个第二散热子单元;
所述第一散热子单元在所述可拉伸基板上的投影位于所述可拉伸单元中的一个所述岛状结构或所述桥接结构在所述可拉伸基板上的投影内;
所述第二散热子单元在所述可拉伸基板上的投影位于同一所述可拉伸单元中的另一个所述岛状结构或所述桥接结构在所述可拉伸基板上的投影内。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述散热单元包括至少一层散热金属层,
所述散热金属层与所述阵列层或所述发光器件层中的任意一个金属层同层设置。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述散热单元包括至少两层散热金属层;
相邻两层所述散热金属层开设有至少一个过孔。
5.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1~4任意一项所述的显示面板。
6.一种显示面板的制作方法,其特征在于,包括:
S1、提供一可拉伸基板,所述可拉伸基板包括多个可拉伸单元,所述可拉伸单元包括两个岛状结构以及连接两个所述岛状结构的桥接结构,多个所述岛状结构在所述显示面板所在平面上间隔排布,且,所述可拉伸单元中的两个所述岛状结构与连接两个所述岛状结构的桥接结构形成第一间隙;
S2、在所述岛状结构或所述桥接结构的一侧表面形成阵列层以及发光器件层,同时复用所述阵列层或所述发光器件层形成散热单元;
S3、将所述散热单元选择性的弯折至所述岛状结构或所述桥接结构远离所述发光器件层的一侧。
7.根据权利要求6所述的显示面板的制作方法,其特征在于,步骤S2包括:
S21、按照预设图案,刻蚀与所述阵列层以及所述发光器件层中任一金属层所处的同层金属,形成包括至少一层散热金属层的所述散热单元。
8.根据权利要求7所述的显示面板的制作方法,其特征在于,步骤S2还包括:
S22、当所述散热单元包括至少两层散热金属层时,在相邻两层所述散热金属层之间开设至少一个过孔,所述过孔至少贯穿位于两层所述散热金属层之间的膜层。
9.根据权利要求6所述的显示面板的制作方法,其特征在于,步骤S2还包括:
S23、刻蚀与所述阵列层以及所述发光器件层中任一金属层所处的同层金属,形成包括至少一个第一散热子单元以及至少一个第二散热子单元的所述散热单元;
相应的,步骤S3包括:
S31、将所述第一散热子单元弯折至所述可拉伸单元中的一个所述岛状结构或所述桥接结构远离所述发光器件层的一侧;
S32、将所述第二散热子单元弯折至同一所述可拉伸单元中的另一个所述岛状结构或所述桥接结构远离所述发光器件层的一侧。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的