[发明专利]非易失性存储器及其工作方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器，其特征在于，包括：

第一位线；

第二位线；

控制单元，所述控制单元具有第一控制连接端和第二控制连接端，第一控制连接端与所述第二位线连接；

锁存单元，所述锁存单元具有第一锁存节点和第二锁存节点，所述第一位线用于调节第一锁存节点的电位信号，所述第二位线用于调节第二锁存节点的电位信号；

所述锁存单元包括阻变式随机存储单元和一个上拉晶体管，所述阻变式随机存储单元具有相对的第一连接端和第二连接端，第一连接端和上拉晶体管的栅极与第一锁存节点连接，所述第二连接端和上拉晶体管的第一源漏端连接并与所述第二控制连接端电学连接，上拉晶体管的第二源漏端与所述第二锁存节点连接；

所述控制单元用于根据所述第二位线的电位信号调节第二连接端的电位进而改变阻变式随机存储单元的阻值状态。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其特征在于，所述上拉晶体管为P型MOS晶体管。

3.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其特征在于，还包括：

第一传输晶体管，所述第一传输晶体管的第一源漏端与所述第一位线连接，

第一传输晶体管的第二源漏端与第一锁存节点连接；

第二传输晶体管，所述第二传输晶体管的第一源漏端与所述第二位线连接，

第二传输晶体管的第二源漏端与第二锁存节点连接。

4.根据权利要求3所述的非易失性存储器，其特征在于，还包括：

字线，所述字线分别与所述第一传输晶体管的栅极和第二传输晶体管的栅极连接。

5.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其特征在于，所述锁存单元还包括第一下拉晶体管和第二下拉晶体管；

所述第一下拉晶体管的栅极与所述第二锁存节点连接，所述第一下拉晶体管的第一源漏端接地线，所述第一下拉晶体管的第二源漏端与第一锁存节点连接；

所述第二下拉晶体管的栅极与所述第一锁存节点连接，所述第二下拉晶体管的第一源漏端接地线，所述第二下拉晶体管的第二源漏端与所述第二锁存节点连接。

6.根据权利要求5所述的非易失性存储器，其特征在于，第一下拉晶体管和第二下拉晶体管为N型MOS晶体管。

7.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其特征在于，还包括：电源线；第二连接端和上拉晶体管的第一源漏端与所述电源线连接。

8.根据权利要求1至7任一项所述的非易失性存储器，其特征在于，所述控制单元包括N型MOS晶体管；

所述控制单元的栅极与预设的控制信号耦接；

所述第一控制连接端为所述控制单元的源极，所述第二控制连接端为所述控制单元的漏极，或者，所述第一控制连接端为所述控制单元的漏极，所述第二控制连接端为所述控制单元的源极。

9.一种如权利要求1-8任一项所述的非易失性存储器的工作方法，其特征在于，包括：

当写入“1”数据时，第一位线的电位信号为逻辑高电平信号，第二位线的电位信号为逻辑低电平信号，所述控制单元根据第二位线的电位信号拉低第二连接端的电位，使得所述阻变式随机存储单元呈高阻状态；

当写入“0”数据时，第一位线的电位信号为逻辑低电平信号，第二位线的电位信号为逻辑高电平信号，所述控制单元根据第二位线的电位信号拉高第二连接端的电位，使得所述阻变式随机存储单元呈低阻状态。

10.根据权利要求9所述的非易失性存储器的工作方法，其特征在于，包括：

当确定所述阻变式随机存储单元处于高阻状态时，读取所述阻变式随机存储单元中存储的数据为“1”；

当确定所述阻变式随机存储单元为低阻状态时，读取所述阻变式随机存储单元中存储的数据为“0”。